发明名称 可防止塌陷之球栅阵列式封装单元焊结方法
摘要 一种可防止塌陷之球栅阵列式封装单元焊结方法,用以将球栅阵列式封装单元焊结至电路板上,但不会使得封装单元塌陷至电路板上。本焊结方法之特点在于其所采用之球栅阵列包括第一焊球群和第二焊球群,且此二焊球群具有不同的回焊塌陷程度。于第一实施例中,第一焊球群为均质焊球;而第二焊球群则为硬核焊球,其外壳部分的熔点大致等于第一焊球群的熔点,而核心部分的熔点则大于外壳部分的熔点。于第二实施例中,第一焊球群为低熔点焊球;而第二焊球群则为高熔点焊球。于回焊过程中,当第一焊球群被完全熔化时,第二焊球群仅有外壳部分被熔化或完全不被熔化;因此于回焊过程中,第二焊球群可提供一支撑作用,以防止封装单元塌陷至电路板上。
申请公布号 TW455968 申请公布日期 2001.09.21
申请号 TW089121892 申请日期 2000.10.19
申请人 矽品精密工业股份有限公司 发明人 普翰屏;黄建屏
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 陈昭诚 台北巿武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种球栅阵列式封装单元焊结方法,用以将一球栅阵列式封装单元焊结至一电路板上;此球栅阵列式封装单元焊结方法包含以下步骤:(1)提供一球栅阵列,其包括:一第一焊球群,其具有一特定之回焊塌陷程度;和一第二焊球群,其具有一特定之回焊塌陷程度;且第二焊球群的回焊塌陷程度小于第一焊球群的回焊塌陷程度;(2)将该第一及第二焊球群以一交互间隔方式安排于该球栅阵列之中;(3)将该球栅阵列配置于该球栅阵列式封装单元与该电路板的对应焊垫之间;以及(4)进行一回焊程序,用以将该第一及第二焊球群分别回焊于其对应之焊垫上。2.如申请专利范围第1项所述之球栅阵列式封装单元焊结方法,其中于步骤(1)中:该第一焊球群包含复数个均质焊球,且具有一特定熔点;而该第二焊球群包含复数个硬核焊球;各个硬核焊球包括一外壳部分和一核心部分;其中外壳部分的熔点大致等于第一焊球群的熔点,而核心部分的熔点则大于外壳部分的熔点。3.如申请专利范围第2项所述之球栅阵列式封装单元焊结方法,其中该第一焊球群的材质为Pb/Sn 37/63。4.如申请专利范围第2项所述之球栅阵列式封装单元焊结方法,其中该第二焊球群的外壳部分的材质为Pb/Sn 37/63,而其核心部分的材质则为铜。5.如申请专利范围第2项所述之球栅阵列式封装单元焊结方法,其中该第二焊球群的外壳部分的材质为Pb/Sn 37/63,而其核心部分的材质则为Pb/Sn 95/5。6.如申请专利范围第2项所述之球栅阵列式封装单元焊结方法,其中步骤(4)中所述之回焊程序包含以下步骤:(4-1)以一预定之温度加热该第一及第二焊球群;其中该预定之温度等于或大于该第一焊球群和该第二焊球群之外壳部分的熔点,但小于该第二焊球群的核心部分熔点,藉此而熔化该第一焊球群之整体部分和该第二焊球群之外壳部分,但不熔化该第二焊球群的核心部分;藉此而使得该第一焊球群之整体部分和该第二焊球群之外壳部分回焊于其对应之电路板焊垫上。7.如申请专利范围第1项所述之球栅阵列式封装单元焊结方法,其中于步骤(1)中:该第一焊球群具有一特定之熔点;该第二焊球群之熔点大于该第一焊球群的熔点。8.如申请专利范围第7项所述之球栅阵列式封装单元焊结方法,其中该第二焊球群的熔点至少较该第一焊球群的熔点大10℃。9.如申请专利范围第7项所述之球栅阵列式封装单元焊结方法,其中该第一焊球群的材质为Pb/Sn 37/63,而该第二焊球群的材质则为Pb/Sn 95/5。10.如申请专利范围第7项所述之球栅阵列式封装单元焊结方法,其中步骤(4)中所述之回焊程序包含以下步骤:(4-1)以一第一预定温度加热该第一及第二焊球群;其中该第一预定温度等于或大于该第一焊球群的熔点,但小于该第二焊球群的熔点,藉此而熔化该第一焊球群,但不熔化该第二焊球群,使得该第一焊球群回焊于其对应之电路板焊垫上;以及(4-2)以一第二预定温度加热该第一及第二焊球群;其中该第二预定温度等于或大于该第二焊球群的熔点,藉此而同时熔化该第一焊球群和该第二焊球群,使得该第一焊球群更进一步回焊于其对应之电路板焊垫上,且同时使得该第二焊群开始回焊于其对应之电路板焊垫上。11.一种球栅阵列式封装单元焊结方法,用以将一球栅阵列式封装单元焊结至一电路板上;此球栅阵列式封装单元焊结方法包含以下步骤:(1)提供一球栅阵列,其包括:一第一焊球群,其包含复数个均质焊球,且具有一特定熔点;而一第二焊球群,其包含复数个硬核焊球;各个硬核焊球包括一外壳部分和一核心部分;其中外壳部分的熔点大致等于该第一焊球群的熔点,而核心部分的熔点则大于外壳部分的熔点;(2)将该第一及第二焊球群以一交互间隔方式安排于该球栅阵列之中;(3)将该球栅阵列配置于该球栅阵列式封装单元与该电路板的对应焊垫之间;以及(4)以一预定之温度加热该第一及第二焊球群;其中该预定之温度等于或大于该第一焊球群和该第二焊球群之外壳部分的熔点,但小于该第二焊球群的核心部分熔点,藉此而熔化该第一焊球群之整体部分和该第二焊球群之外壳部分,但不熔化该第二焊球群的核心部分;藉此而使得该第一焊球群之整体部分和该第二焊球群之外壳部分回焊于其对应之电路板焊垫上。12.如申请专利范围第11项所述之球栅阵列式封装单元焊结方法,其中该第一焊球群的材质为Pb/Sn37/63。13.如申请专利范围第11项所述之球栅阵列式封装单元焊结方法,其中该第二焊球群的外壳部分的材质为Pb/Sn 37/63,而其核心部分的材质则为铜。14.如申请专利范围第11项所述之球栅阵列式封装单元焊结方法,其中该第二焊球群的外壳部分的材质为Pb/Sn 37/63,而其核心部分的材质则为Pb/Sn 95/5。15.一种球栅阵列式封装单元焊结方法,用以将一球栅阵列式封装单元焊结至一电路板上;此球栅阵列式封装单元焊结方法包含以下步骤:(1)提供一球栅阵列,其包括:一第一焊球群,其具有一特定之熔点;和一第二焊球群,其熔点大于该第一焊球群的熔点;(2)将该第一及第二焊球群以一交互间隔方式安排于该球栅阵列之中;(3)将该球栅阵列配置于该球栅阵列式封装单元与该电路板的对应焊垫之间;(4)以一第一预定温度加热该第一及第二焊球群;其中该第一预定温度等于或大于该第一焊球群的熔点,但小于该第二焊球群的熔点,藉此而熔化该第一焊球群,但不熔化该第二焊球群,使得该第一焊球群回焊于其对应之电路板焊垫上;以及(5)以一第二预定温度加热该第一及第二焊球群;其中该第二预定温度等于或大于该第二焊球群的熔点,藉此而同时熔化该第一焊球群和该第二焊球群,使得该第一焊球群更进一步回焊于其对应之电路板焊垫上;且同时使得该第二焊球群开始回焊于其对应之电路板焊垫上。16.如申请专利范围第15项所述之球栅阵列式封装单元焊结方法,其中该第二焊球群的熔点至少较该第一焊球群的熔点大10℃。17.如申请专利范围第15项所述之球栅阵列式封装单元焊结方法,其中该第一焊球群的材质为Pb/Sn37/63,而该第二焊球群的材质则为Pb/Sn 95/5。图式简单说明:第一图A至第一图C(习知技术)为剖面结构示意图,其中显示一习知之BGA封装单元焊结方法;第二图A至第二图C为剖面结构示意图,其中显示本发明之BGA封装单元焊结方法之第一实施例;第三图A至第三图C为剖面结构示意图,其中显示本发明之BGA封装单元焊结方法之第二实施例。
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