| 主权项 |
1.一种晶圆型态封装之制程,该制程包含:提供一具有复数个晶粒形成于其上之晶圆,该晶圆具有复数个输入输出之金属垫位于该晶圆之第一表面;涂布光阻于晶圆之第二表面上;涂布光阻图案于该晶圆之上述第一表面且暴露该金属垫;形成金属垫保护层于该被暴露之金属垫之上;去除该光阻图案;形成沟渠于该晶圆之中;形成绝缘层覆盖于该晶圆以及该金属垫保护层之上且回填于该沟渠之中;形成开孔于该绝缘层之中且暴露该金属垫保护层;形成光阻图案于该绝缘层之上用以定义导线之图案;形成导线图案于该光阻图案所定义之区域,且位于该绝缘层之上与该金属垫保护层接触;去除该光阻图案;形成罩幕于该导电图案及该绝缘层之上;于该罩幕中形成穿孔用以定义导电凸块所形成之区域;研磨该晶圆之第二表面直到该沟渠之底部且一并去除该第二表面上之上述光阻;执行一锡膏印刷步骤以形成锡膏于该预定区域之上;及热流该锡膏以形成该导电凸块。2.如申请专利范围第1项之晶圆型态封装之制程,其中在执行该热流步骤之后,更包含测试该晶圆。3.如申请专利范围第2项之晶圆型态封装之制程,其中在执行该测试之后,更包含沿该沟渠切割该晶圆。4.如申请专利范围第1项之晶圆型态封装之制程,其中上述之金属垫保护层包含镍(Ni)或铬(Cr)等。5.如申请专利范围第1项之晶圆型态封装之制程,其中上述之绝缘层包含环氧树脂。6.如申请专利范围第1项之晶圆型态封装之制程,其中上述之绝缘层开孔为利用雷射形成。7.如申请专利范围第1项之晶圆型态封装之制程,其中上述之导电图案包含铜。8.如申请专利范围第7项之晶圆型态封装之制程,其中上述之铜系利用电镀方式形成。9.一种晶圆型态封装,包含:具有复数个晶粒形成于其上之晶圆,其中该晶圆具有沟渠形成于该晶圆中且穿透该晶圆,用以分离个个封装之单体,每一个封装单体具有金属垫形成于其上;金属垫保护层,覆盖于该金属垫之上;绝缘层,覆盖于该晶圆表面以及该金属垫保护层之上且填充于该沟渠之中,上述之绝缘层包含复数个开孔对应于上述之金属垫保护层;导线图案,分布于该绝缘层之上;锡球罩幕,形成于该导线图案之上且暴露部分之导线;及导电凸块,位于被暴露之上述导线图案之上。10.如申请专利范围第9项之晶圆型态封装,其中上述之绝缘层包含环氧树脂。11.如申请专利范围第9项之晶圆型态封装,其中上述之金属垫保护层包含锌(Zn)/(Ni)或铬(Cr)等。12.如申请专利范围第9项之晶圆型态封装,其中上述之导线图案包含铜。13.如申请专利范围第9项之晶圆型态封装,其中上述之导线凸块包含锡球。图式简单说明:第一图为具有金属垫形成于其上之晶圆截面图。第二图所显示为本发明涂布光阻于晶圆背面之半导体晶圆截面图。第三图所显示为本发明形成光阻图案于晶圆正面之半导体晶圆截面图。第四图所显示为本发明形成金属垫保护层之半导体晶圆截面图。第五图所显示为本发明去除光阻图案以及形成沟渠于晶圆中之半导体晶圆截面图。第六图所显示为本发明形成绝缘层以及回填于沟渠中之半导体晶圆截面图。第七图所显示为以无电镀方式形成铜种子层之半导体晶圆截面图。第八图所显示为涂布光阻图案之半导体晶圆截面图。第九图所显示为导电图案于光阻图案所定义区间之半导体晶圆截面图。第十图所显示为去除光阻图案之半导体晶圆截面图。第十一图所显示为形成锡球罩幕之半导体晶圆截面图。第十二图所显示为研磨晶圆背面之半导体晶圆截面图。第十三图所显示为形成锡球之半导体晶圆截面图。第十四图所显示为晶圆型态测试之半导体晶圆截面图。第十五图所显示为执行晶圆型态封装切割之半导体晶圆截面图。 |
