| 主权项 |
1.一种用于制造一树脂封装半导体装置之制程,包含以下步骤:(a)在用于安置半导体晶片之一基质内形成用于外部连接之数个第一穿孔;(b)在该基质之一晶片安置面上形成一导电膜且将该导电膜模式化成为数个模式化布线与覆盖该第一穿孔的整个开口且构成部份该模式化布线的数个陆地;(c)将两个或两个以上的半导体晶片安置在该基质的晶片安置面上;(d)将外部连接端子从晶片安置面反侧之端子安置面安置至该第一穿孔处且将该半导体晶片经过该陆地连接至该外部端子;(e)以树脂封装剂将该两个或两个以上的半导体晶片连接成一片;(f)以一第一切刃从该基质的该端子安置面切削该基质;(g)以较该第一切刃为薄之一第二切刃切削该树脂;以及(h)将该基质分割用于个别半导体晶片。2.如申请专利范围第1项之制程,其中该二或多个半导体晶片系被分成两或多群且各群系在该步骤(e)内以一树脂加以封装成为一片。3.如申请专利范围第1项之制程,其中该第一切刃系较切削树脂更为适用于切削基质而该第二切刃系较切削基质更为适用于切削树脂。4.如申请专利范围第3项之制程,其中该第一切刃系为备有磨粒之一碟片型旋转元件而该第二切刃系为备有磨粒粒子尺寸大于第一切刃所有者之一碟片型旋转元件。5.如申请专利范围第1项之制程,其中数个第二穿孔系形成于该基质之一内部周边上而用步骤(a)方式与第一通孔同时形成,该第二穿孔整个开口系用步骤(b)方式以导电膜加以覆盖;以及该树脂的基质系藉由认定第二穿孔当作步骤(f)及/或(g)中指示切削位置的参考记号来自基质的端子安置面处加以切削。6.一种树脂封装半导体装置,包含:一基质,用于安置一半导体晶片,其上包括一模式化布线,用于外部连接的数个第一穿孔,以及覆盖该第一穿孔的整个开口且构成部份该模式化布线的数个陆地;一半导体晶片,安置于该基质上,该半导体晶片系以一树脂所封装,以及外部连接端子,被安置在该基质之一晶片安置面之一反面上,且经过该陆地电气式连接至该半导体晶片;其中该基质之一边缘系定位在用于封装之该树脂之一边缘内侧。7.如申请专利范围第6项之树脂封装半导体装置,其中该基质边缘与树脂边缘间之一距离系为约20微米至50微米。图式简单说明:第一图(a)至第六图(a)系为从晶片安置面所观察到之一半导体装置之概要平面示图,而第一图(b)至第六图(b)系为从外部端子安置面所观察到之半导体装置之概要平面示图用于举例说明根据本发明所制造一树脂封装半导体装置之制程的一个实施例。第七图(a)至第七图(c)系为该半导体装置之概要剖面示图用于举例说明根据本发明所制造一树脂封装半导体装置的一个制程实施例。第八图(a)系为一平面示图举例说明了根据本发明所制造一树脂封装半导体装置的一个制程实施例中所使用的树脂封装之模型。第八图(b)系沿第八图(a)之B-B'线之示意剖面图。第九图(a)至第九图(c)系为概要剖面示图举例说明了用于制造一树脂封装半导体装置之一习知制程。 |
