发明名称 短导针磁蕊绕线晶片电感的结构
摘要 一种短导针磁蕊绕线晶片电感的结构包括,短导针绕线磁蕊、导脚与胶膜。其中,短导针绕线磁蕊,此短导针绕线磁蕊具有二短导针,为水平或是垂直放置于料片上。导脚的形式分为两种,一种为由料片中预留做为导脚的部分向上弯曲形成结构如支撑架之导脚,以支撑住短导针绕线磁蕊,并与短导针绕线磁蕊电性连接,使短导针绕线磁蕊整个在该料片之上方。另一种为不弯曲的形式,可以使短导针绕线磁蕊的上半部位于料片的上方、下半部位于料片的下方。最后以胶膜包覆导脚与短导针绕线磁蕊。即为本发明之短导针磁蕊绕线晶片电感结构。
申请公布号 TW455888 申请公布日期 2001.09.21
申请号 TW089118402 申请日期 2000.09.08
申请人 陈中辉 发明人 陈中辉
分类号 H01F17/04 主分类号 H01F17/04
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种短导针磁蕊绕线晶片电感的结构,至少包括:一短导针绕线磁蕊,该短导针绕线磁蕊具有二短导针,该短导针绕线磁蕊为水平放置于一料片上;二导脚,该些导脚由该料片中预留做为导脚的部分向上弯曲而成,结构如一支撑架,支撑住该水平放置的短导针绕线磁蕊,并与该短导针绕线磁蕊电性连接,使该短导针绕线磁蕊整个在该料片之上方;以及一胶膜,包覆该导脚与该短导针绕线磁蕊。2.如申请专利范围第1项所述之短导针磁蕊绕线晶片电感的结构,其中该料片放置该短导针绕线磁蕊的位置镂空,且该导脚位于该料片上并不向上弯曲,使得该短导针绕线磁蕊上半部在该料片之上方,下半部在该料片之下方。3.如申请专利范围第1项所述之短导针磁蕊绕线晶片电感的结构,其中该导脚之材质系为铜。4.如申请专利范围第1项所述之短导针磁蕊绕线晶片电感的结构,其中该导脚之材质系为铁/镍合金。5.如申请专利范围第1项所述之短导针磁蕊绕线晶片电感的结构,其中该导脚成型采POWERPAD不需弯折。6.如申请专利范围第1项所述乙短导针磁蕊绕线晶片电感的结构,其中该料片上更包括:复数个与导脚电性连接之导电连接脚;以及复数个具有支撑作用之支撑连结脚,该支撑连结脚与该胶膜外壁连接,且不具导电性。7.一种短导针磁蕊绕线晶片电感的结构,至少包括:一短导针绕线磁蕊,该短导针绕线磁蕊为垂直放置于一料片上,该短导针绕线磁蕊具有一朝下的第一短导针与一朝上的第二短导针;二导脚,包括一第一导脚与一第二导脚,其中该第一导脚与该第一短导针电性连接,该第二导脚藉由一导片与该第二短导针电性连接,使该垂直放置之短导针绕线磁蕊整个在该料片之上方;以及一胶膜,包覆该导脚与该短导针绕线磁蕊。8.如申请专利范围第7项所述之短导针磁蕊绕线晶片电感的结构,其中该导脚之材质系为铜。9.如申请专利范围第7项所述之短导针磁蕊绕线晶片电感的结构,其中该导脚之材质系为铁/镍合金。10.如申请专利范围第7项所述之短导针磁蕊绕线晶片电感的结构,其中该导片之材质系为含金42。11.如申请专利范围第7项所述之短导针磁蕊绕线晶片电感的结构,其中该导片之材质系为铜。12.如申请专利范围第7项所述之短导针磁蕊绕线晶片电感的结构,其中该导脚成型采POWER PAD不需弯折。13.如申请专利范围第7项所述之短导针磁蕊绕线晶片电感的结构,其中该料片上更包括:复数个与导脚电性连接之导电连接脚;以及复数个具有支撑作用之支撑连结脚,该支撑连结脚与该胶膜外壁连接,且不具导电性。图式简单说明:第一图至第五图绘示为*一般所使用长导针绕线晶片电感制程的流程图。第六图至第十图绘示为日商所使用无导针绕线晶片电感制程的流程图。第十一图至第十七图绘示为依照本发明一较佳实施例的制程流程图。第十八图A与第十八图B绘示为第二种短导针磁蕊绕线晶片电感的结构侧视图。第十九图A与第十九图B绘示为第三种短导针磁蕊绕线晶片电感的结构侧视图。
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