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1.一种薄膜电晶体液晶显示器(thin-film-transistorliquid-crystal-display, TFT-LCD)的内连线(interconnect)的制作方法,该薄膜电晶体(TFT)系制作于一基板(substrate)之上,该基板上另包含有一扫瞄线(scan line)及一讯号线(signal line),该讯号线系与该扫瞄线垂直,且该扫瞄线与该讯号线系位于不同平面,该制作方法包含有下列步骤:于该基板上方形成一保护层(passivation layer),以覆盖于该薄膜电晶体以及该讯号线;定义该保护层之图案,至少于该讯号线上方之保护层中形成一讯号线接触洞(contact hole);于该讯号线与该保护层之上方形成一透明导电层,且该透明导电层会填入该讯号线接触洞;以及定义该透明导电层之图案,使该透明导电层存留在该扫瞄线交错之讯号线的正上方。2.如申请专利范围第1项之方法,其中形成于该讯号线之讯号线接触洞系位于与该讯号线交错之扫瞄线两侧。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该透明导电层系由氧化铟锡(indium tin oxide, ITO)所构成。4.一种制作薄膜电晶体平面显示器的方法,该方法包含有下列步骤:提供一基板;于该基板上沈积一第一金属层;进行一第一黄光暨蚀刻制程(PEP)来定义该第一金属层之图案,以于该第一金属层中形成一闸极以及一扫瞄线;于该基板上沈积一绝缘层,使其覆盖该第一金属层表面;依序沈积一半导体层、一掺杂(doped)矽层以及一第二金属层,进行一第二黄光暨蚀刻制程来定义该半导体层、该掺杂矽层以及该第二金属层之图案,用以形成一薄膜电晶体岛状结构;进行一第三黄光暨蚀刻制程以于该第二金属层以及该掺杂矽层中形成一汲极/源极电极以及一讯号线,并完成该薄膜电晶体之制作;于该基板上方形成一保护层,且覆盖于该薄膜电晶体以及该讯号线之表面;进行一第四黄光暨蚀刻制程,至少在该讯号线上方之该保护层中形成一讯号线接触洞(contact hole);至少在该讯号线上之该保护层的上方形成一透明导电层,且该透明导电层填满该讯号线接触洞;以及进行一第五黄光暨蚀刻制程,定义该透明导电层之图案,使该透明导电层至少形成在与该扫瞄线交错之讯号线的正上方。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该半导体层系为一非晶矽层或多晶矽层。6.如申请专利范围第4项之方法,其中该透明导电层系由氧化铟锡(ITO)构成。7.如申请专利范围第4项之方法,其中该讯号线接触洞系位于该讯号线与该扫描线交错处之两侧。图式简单说明:第一图为习知TFT-LCD之部份布局示意图。第二图为本发明TFT-LCD之部份布局示意图。第三图为本发明TFT-LCD之剖面示意图。第四图A至第四图E为本发明TFT-LCD之制作方法示意图。 |
