| 主权项 |
1.一种对准标记架构之制作方法,至少包括下列步骤:提供一基底,其中具有一元件区与一对准标示区,且该元件区之高度高于该对准标示区,该元件区内具有一主动区,该对准标示区内具有一对准标记;在该元件区上形成图案化之一罩幕层,以覆盖该主动区;以该罩幕层为罩幕,在该主动区之周缘形成一沟渠,在该基底上形成一第一介电层,填满该对准标记与该沟渠;以该罩幕层为终止层,移除部份该第一介电层,于该沟渠内形成一隔离层,并于该对准标示区上形成一底介电层;移除该罩幕层;在该基底上形成一导电层;定义该导电层,在该主动区上形成一元件;在该基底上形成平坦化之一第二介电层;以及在该元件区上形成一导线,且该导线与该对准标示区之距离大于该元件与该对准标示区之距离。2.如申请专利范围第1项所述对准标记架构之制作方法,其中形成之该罩幕层包括以化学气相沈积法形成之氮化矽层。3.如申请专利范围第1项所述对准标记架构之制作方法,其中形成该罩幕层之步骤包括:在该基底上形成一罩幕材料层;以及定义该罩幕材料层,且移除位于该对准标示区之部份该罩幕材料层,曝露出该对准标示区之部份该基底。4.如申请专利范围第3项所述对准标记架构之制作方法,其中形成该罩幕材料层之方法包括化学气相沈积法。5.如申请专利范围第1项所述对准标记架构之制作方法,其中形成该第一介电层之方法包括化学气相沈积法。6.如申请专利范围第1项所述对准标记架构之制作方法,其中形成该第一介电层之材质包括氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述对准标记架构之制作方法,其中形成该第一介电层之厚度约为8000埃。8.如申请专利范围第1项所述对准标记架构之制作方法,其中移除部份该第一介电层之方法包括等向性蚀刻。9.如申请专利范围第1项所述对准标记架构之制作方法,其中移除部份该第一介电层之方法包括化学机械研磨法。10.如申请专利范围第1项所述对准标记架构之制作方法,其中形成该底介电层之厚度约为4000埃。11.如申请专利范围第1项所述对准标记架构之制作方法,其中形成平坦化之该第二介电层之方法包括化学机械研磨法。12.如申请专利范围第1项所述对准标记架构之制作方法,其中形成平坦化之该第二介电层之方法包括旋涂式玻璃法。13.如申请专利范围第1项所述对准标记架构之制作方法,其中形成该导线之步骤包括:在该第二介电层上形成一导电材料层;以及定义该导电材料层,在该元件区上形成该导线,并曝露出位于该对准标示区之部份该第二介电层。14.一种对准标记架构之制作方法,应用于一基底,该基底具有一元件区与一对准标示区,且该元件区之高度高于该对准标示区,该元件区内具有一主动区,该对准标示区内具有一对准标记,该方法至少包括下列步骤:在该主动区上形成图案化之一罩幕层;在该主动区之周缘形成一沟渠;在该基底上形成一第一介电层,填满该对准标记与该沟渠;移除部份该第一介电层,并该沟渠内形成一隔离介电层,并于该对准标示区上形成一底部介电层,;在该主动区上形成一元件;在该基底上形成平坦化之一第二介电层;以及在该主动区上形成一导线,且该导线与该对准标示区之距离大于该元件与该对准标示区之距离。15.如申请专利范围第14项所述对准标记架构之制作方法,其中移除部份该第一介电层,形成该底部介电层之方法包括等向性蚀刻。16.如申请专利范围第14项所述对准标记架构之制作方法,其中移除部份该第一介电层,形成该底部介电层之方法包括化学机械研磨法。17.如申请专利范围第14项所述对准标记架构之制作方法,其中形成平坦化之该第二介电层的方法包括旋涂式玻璃法。18.如申请专利范围第14项所述对准标记架构之制作方法,其中形成平坦化之该第二介电层的步骤包括:在该基底上形成一介电材料层;以及以化学机械研磨法平坦化该介电材料层,形成该第二介电层。图式简单说明:第一图A至第一图H绘示依照本发明之较佳实施例,一种对准标记架构之制作流程的剖面示意图。 |
