| 主权项 |
1.一以外部去疵制造半导体晶圆的制程,该半导体晶圆具有一前表面及一后表面,该制程系包括:使该晶圆前表面及后表面接受双面抛光,以同时及一致地自该前表面与该后表面去除材料,及在抛光时,在该前表面与该后表面造成损伤,因该后表面造成损伤,这样,该晶圆前表面上之杂质,在后续制程及元件制造中,系可藉该后表面上之损伤以外部去疵去除;使该晶圆前表面接受等电浆辅助化学蚀刻,这样,该晶圆前表面上之损伤系可去除及该晶圆系已平坦;及使该晶圆前表面接受一接触抛光操作,以增加该前表面之光泽。2.如申请专利范围第1项之制程,其中该晶圆,在作该双面抛光操作前,系更进一步接受一蚀刻操作。3.如申请专利范围第2项之制程,其中该晶圆,于该双面抛光操作之后,但在等电浆辅助化学蚀刻操作之前,系接受一清洗操作。4.如申请专利范围第3项之制程,其中该晶圆,于等电浆辅助化学蚀刻操作之后,但在接触抛光之前,系更进一步接受一冲水操作。5.如申请专利范围第4项之制程,其中该晶圆,于接触抛光之后,但在接触抛光之前,系更进一步接受一最后清洗操作。6.如申请专利范围第5项之制程,其中一抛光泥状研磨剂系用于双面抛光操作,该抛光泥状研磨剂系包括溶于水之氧化铝,溶于甘油之氧化铝,溶于水之二氧化铈,及溶于甘油之二氧化铈。7.如申请专利范围第6项之制程,其中该抛光泥状研磨剂之酸硷値系约在6至10.5之间。8.如申请专利范围第5项之制程,其中该晶圆之总体厚度变化,在该双面抛光后,系约小于1微米。9.一种以外部去疵制造半导体晶圆的制程,该半导体晶圆具有一前表面及一后表面,该制程系包括:切割该晶圆,系自一单一晶体锭;使该晶圆接受一蚀刻操作,以自该晶圆去除切割残渣;使该晶圆前表面及后表面接受双面抛光,以同时及一致地自该前表面与该后表面去除材料,及在抛光时,在该前表面与该后表面造成损伤,因该后表面造成损伤,这样,该晶圆前表面上之杂质,在后续制程及元件制造中,系可藉该后表面上之损伤以外部去疵去除;使该晶圆接受一清洗操作,以自该晶圆去除污染;使该晶圆前表面接受等电浆辅助化学蚀刻,这样,该晶圆前表面上之损伤系可去除及该晶圆系已平坦;使该晶圆接受一冲水操作,以去除等电浆辅助化学蚀刻操作产生之污染;使该晶圆前表面接受一接触抛光操作,以增加该前表面之光泽;及使该晶圆接受一最后清洗操作,以去除该晶圆上之颗粒。10.如申请专利范围第12项之制程,其中在最后接触抛光系约去除0.2至10微米之材料,这样,该晶圆系具有结果为0.1至4微米之总体厚度变化。图式简单说明:第一图系一以前技艺之外部去疵制造半导体晶圆制程流程图;第二图系根据本发明之以外部去疵制造半导体晶圆实例流程图; |
