| 主权项 |
1.一种处理半导体基板之处理反应器,该反应器包括:一反应器外壳界定一处理室;一平台旋转支撑在该外壳中以旋转支撑该处理室中之基板;及一气体注入装置,当该平台旋转基板时,将至少一气体注入在该处理室中及基板上,该气体注入装置具有一基板相对面,而该基板相对面可改变该处理室之动态压力以改变该处理室中基板之处理时间。2.如申请专利范围第1项之反应器,其中该基板相对面可重新定位在该处理室以改变该处理室之动态压力。3.如申请专利范围第1项之反应器,其中该气体注入装置包括一气体注入歧管,该气体注入歧管包括该基板相对面。4.如申请专利范围第3项之反应器,其中该气体注入歧管可以在该外壳中移动以改变该处理室之动态压力。5.如申请专利范围第3项之反应器,其中该基板相对面包括与该平台感一角度之至少一部分,该角度部分改变该处理室之动态压力。6.如申请专利范围第5项之反应器,其中该角度部分包括一第一角度部分,该基板相对面包括一第二角度部分。7.如申请专利范围第6项之反应器,其中连接该角度部分以形成一最高点。8.如申请专利范围第7项之反应器,其中该最高点定位成对齐于基板之中央。9.如申请专利范围第6项之反应器,其中各该第一及第二角度部分包括一平面。10.如申请专利范围第1项之反应器,其中该气体注入装置包括至少一埠将一第一气体注入该处理室。11.如申请专利范围第10项之反应器,其中该埠位于该基板相对面。12.如申请专利范围第11项之反应器,其中该埠位于该基板相对面中央。13.如申请专利范围第10项之反应器,其中该埠包括一第一埠,该气体注入装置包括一第二埠将一第二气体注入该处理室。14.如申请专利范围第13项之反应器,其中该第一埠与该第二埠同轴。15.一种处理半导体基板之处理反应器,该反应器包括:一外壳,该外壳包括一处理室;一平台旋转支撑在该外壳中以旋转支撑该处理室中之基板;一加热器可加热基板;及一气体歧管具有一基板相对面,该气体歧管具有至少一注入埠以轴向将气体注入基板,而该基板相对面可改变该处理室之动态压力以改变基板之处理时间。16.如申请专利范围第15项之处理反应器,其中该基板相对面可重新定位在该处理室以改变该处理室之动态压力。17.如申请专利范围第16项之处理反应器,其中该基板相对面包括第一及第二部分,该第一及第二部分之至少一者与该平台成一角度。18.如申请专利范围第17项之处理反应器,其中该注入埠位于该第一与第二部分之间。19.如申请专利范围第15项之处理反应器,其中该注入埠包括一第一注入埠,该气体歧管包括一第二注入埠。20.如申请专利范围第19项之处理反应器,其中该第一埠与该第二埠同轴。21.如申请专利范围第15项之处理反应器,其中该外壳包括一盖子,该气体歧管支撑在该盖子上。22.如申请专利范围第21项之处理反应器,其中该气体歧管移动式装设在该盖子中以使该基板相对面相对于该平台而重新定位。23.如申请专利范围第20项之处理反应器,其中该基板相对面包括第一及第二部分,该第一及第二部分之至少一者与该平台成一角度。24.如申请专利范围第23项之处理反应器,其中该第一及第二部分与该平台成一角度。25.如申请专利范围第23项之处理反应器,其中该第一及第二部分成一角度以形成一正楔形基板相对面。26.如申请专利范围第23项之处理反应器,其中该第一及第二部分成一角度以形成一负楔形基板相对面。27.如申请专利范围第15项之处理反应器,其中该气体歧管大致系长方形。28.如申请专利范围第27项之处理反应器,其中该基板相对可大致系长方形且包括一正楔形表面及一负楔形表面。29.一种处理半导体基板之处理反应器,该处理反应器包括:一反应器外壳,该反应器外壳包括一处理室;一加热器外壳旋转支撑在该反应器外壳中;一支撑在该加热器外壳之平台以旋转支撑该处理室中之基板;一加热器在该加热器外壳中以加热基板;及一气体政管,具有一基板相对面及至少一气体注入埠以经由该基板相对面而轴向将气体注入基板,而该基板相对面可改变该处理室之动态压力以改变基板之处理时间。30.如申请专利范围第29项之处理反应器,其中该气体歧管支撑在一气体注入装置外壳中,该气体注入装置外壳在该反应器外壳中支撑该气体歧管。31.如申请专利范围第29项之处理反应器,其中该气体注入装置外壳包括一横向通道,该气体歧管位于且支撑在该横向通道中。32.如申请专利范围第29项之处理反应器,其中该气体歧管可移动支撑在该横向通道中。33.如申请专利范围第29项之处理反应器,其中该气体注入装置外壳更支撑一排气管以便从该处理室排气。34.如申请专利范围第29项之处理反应器,其中该排气管在该气体注入歧管四周以使注入该气体注入埠之气体在基板之不同区域中隔离。35.如申请专利范围第15项之处理反应器,其中该基板相对面包括一正楔形相对面及一负楔形相对面之一。36.一种处理半导体基板之处理反应器,该处理反应器包括:一反应器外壳界定一处理室;一基板支架用以支撑该处理室中之基板;一加热器用以加热该处理室中之基板;及一气体注入系统,将至少一气体注入该处理室,该气体注入系统包括一气体注入歧管,具有一基板相对面及至一气体注入埠以大致垂直基板之装置侧之方向通过该基板相对面,该气体注入歧管可移动式装设在该外壳中,因而该基板相对面可移动以接近或离开基板之装置侧以改变该处理室之动态压力。37.如申请专利范围第36项之处理反应器,其中该基板相对面系一正楔形表面或一负楔形表面。38.如申请专利范围第36项之处理反应器,其中该气体注入歧管包括复数个注入埠用以将处理气体注入该处理室。39.如申请专利范围第36项之处理反应器,其中该气体注入系统更包括一排气管具有复数个排气埠以便从该处理室排气,该排气埠绕着该气体注入歧管而延伸。40.如申请专利范围第39项之处理反应器,其中该气体注入歧管包括一矩形歧管。41.如申请专利范围第40项之处理反应器,其中该气体注入歧管之基板相对面包括一对角度部分以界定之间之最高点,该角度部分可改变该处理室中基板之动态压力。42.如申请专利范围第41项之处理反应器,其中该注入埠在该最高点。43.如申请专利范围第42项之处理反应器,其中该气体注入歧管包括一气体注入埠。44.如申请专利范围第43项之处理反应器,其中该注入埠系同轴。45.如申请专利范围第40项之处理反应器,其中该气体注入歧管包括复数个注入埠。46.一种基板处理装置,包括:一外壳界定一处理室;一平台支撑在该外壳中以支撑该处理室中之基板;及一气体注入装置,处理基板时将至少一气体注入该处理室及基板上,该气体注入装置具有一基板相对面,而该基板相对面可改变该处理室之动态压力以改变该处理室中基板之处理时间。47.如申请专利范围第46项之基板处理装置,其中该基板相对面可重新定位在该处理室以改变该处理室之动态压力。48.如申请专利范围第46项之基板处理装置,其中该基板相对面包括与该平台成一角度之至少一部分,该角度部分改变该处理室之动态压力。49.如申请专利范围第48项之基板处理装置,其中该角度部分包括一第一角度部分,该基板相对面包括一第二角度部分。50.如申请专利范围第46项之基板处理装置,其中该注入装置包括一横向通道,该基板相对面可定位在该横向通道中。51.如申请专利范围第50项之基板处理装置,其中该基板相对面可移动支撑在该横向通道中。52.一种制造半导体装置之方法,包括:使用一处理装置以处理半导体基板之步骤,包括:一外壳界定一处理室;一平台支撑在该外壳中以支撑该处理室中之基板;及一气体注入装置,处理基板时将至少一气体注入该处理室及基板上,该气体注入装置具有一基板相对面,而该基板相对面可改变该处理室之动态压力以改变该处理室中基板之处理时间。图式简单说明:第一图是本发明反应器的立体图,第二图是沿着第一图线II-II看去的剖视图,以说明装设有本发明气体注入系统的第一图反应器,第三图是沿着第二图线III-III看去的放大底视图,以说明第二图气体注入系统的气体注入歧管,第四图与第三图类似,在说明本发明气体注入系统的气体注入歧管的第二实施例,及第五图与第三图类似,在说明本发明气体注入系统的气体注入歧管的第三实施例 |
