| 主权项 |
1.一种自基板剥离积体电路晶片之方法,系包含以下步骤:(A)提供一具积体电路晶片之基板;(B)固定该具积体电路晶片之基板于一平台;(C)自具欲剥离之积体电路晶片之基板之相对另一侧,对于该欲剥离之积体电路晶片位置于基板之投影处对该欲剥离之积体电路晶片加热,以至少软化或热解共基板积体电路晶片与平面显示器基板之异方性导电膜(ACF);以及(D)于非垂直该基板之方向移除该欲剥离之积体电路晶片。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基板为平面显示器之共基板,该欲剥离之积体电路晶片为共基板积体电路晶片(Chip On Glass)。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中(B)系将该欲剥离之积体电路晶片之基板一侧之固定于朝向地面之方向。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中(C)系以一金属对积体电路晶片之基板(PANEL)相对另一侧,于基板之积体电路晶片位置投影处加热。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中(C)系以一高热传导之金属对积体电路晶片之基板(PANEL)相对另一侧,于基板之积体电路晶片位置投影处间接对晶片加热,加热之温度至少高于100℃。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中(C)系以一具木质接触面之推杆移除该积体电路晶片。7.一种自基板剥离积体电路晶片之剥离装置,其系包含:一固定平台,用以固定平面显示器;一加热单元,用以对该基板上欲剥离之积体电路晶片之相对另一侧,该欲剥离之积体电路晶片于该基板之投影处加热;以及一移除单元,用以移除该基板上经加热之该欲剥离之积体电路晶片。8.如申请专利范围第7项所述之剥离装置,其中该基板为平面显示器之共基板,该欲剥离之积体电路晶片为共基板积体电路晶片(Chip On Glass)。9.如申请专利范围第8项所述之剥离装置,其中该平面显示器为液晶显示器。10.如申请专利范围第7项所述之剥离装置,其中该固定平台系将该欲剥离之积体电路晶片之基板一侧固定于朝向地面之方向。11.如申请专利范围第7项所述之剥离装置,其中该加热装置为金属。12.如申请专利范围第11项所述之剥离装置,其中该加热装置为T型烙铁。13.如申请专利范围第7项所述之剥离装置,其中该加热装置加热之温度至少高于100℃。14.如申请专利范围第7项所述之剥离装置,其中该移除装置为具一木质接触面之推杆。15.一种自基板剥离积体电路晶片用之加热头,系包含:一热传导筒部,该热传导筒部系具有一端封闭之一中空空腔,并以该中空空腔容置一外接之热源以提供该加热头热能;以及一加热平台部,该加热平台部系与该热传导筒部中空空腔封闭之一端相连接,并于非与该热传导筒部中空空腔封闭之一端相连接之另一端具有一加热平面,且该加热平面大于或恰足以覆盖该欲剥离之积体电路晶片。16.如申请专利范围第15项所述之加热头,其中该热传导筒部并具有一固定结合单元,以固定结合该外接之热源与该热传导筒部。17.如申请专利范围第15项所述之加热头,其中该加热头为金属。图式简单说明:第一图系先前技艺平面显示器之共基板积体电路晶片(Chip On Glass)之剥离方法之示意图。第二图系本发明积体电路晶片之剥离方法之示意图。第三图系本发明积体电路晶片(Chip On Glass)之剥离用之T型烙铁加热显示意图。 |
