| 主权项 |
1.一种在底基处理室中藉由蚀刻穿过导电层而形成导电形貌的方法,该导电层设置于半导体底基上,该方法包含:利用第一蚀刻处方至少部分地蚀刻穿过该导电层以便形成该导电形貌之顶部;与接着利用异于该第一蚀刻处方的第二蚀刻处方至少部分地蚀刻穿过该导电层之其余厚度以便形成该导电形貌之底部,该底部设置在该顶部之底下,该第二蚀刻处方被配置成在该导电形貌之该底部中产生倾斜之蚀刻足部。2.申请专利范围第1项之方法,其中该第一蚀刻处方被配置成所获得之穿过该导电层的蚀刻率高于该第二蚀刻处方所获得的蚀刻率。3.申请专利范围第2项之方法,其中该第一蚀刻处方被配置成获得最大之穿过该导电层的蚀刻率。4.申请专利范围第1项之方法,其中该底基处理室代表电浆处理室。5.申请专利范围第4项之方法,其中该电浆处理室代表联接有变压器的电浆蚀刻室。6.申请专利范围第5项之方法,其中利用氯化学蚀刻该导电形貌。7.申请专利范围第5项之方法,其中利用氟化学蚀刻该导电形貌。8.申请专利范围第5项之方法,其中该联接有变压器的电浆处理室含有装设在该底基底下之较低电极,当蚀刻该导电形貌之该底部时的该较低电极之DC偏压高于当形成该导电形貌之该顶部时的该较低电极之DC偏压。9.申请专利范围第1项之方法,其中当蚀刻该导电形貌之该底部时所维持之该底基之温度低于当形成该导电形貌之该顶部时的该底基之温度。10.申请专利范围第1项之方法,其中该导电形貌设置在绝缘层中所成形之介层的上方,该绝缘层设置在该导电层底下,该导电形貌之该顶部的宽度小于该介层之直径,该导电形貌之该底部至少与位于界面处之该介层之该直径同宽,该界面位于该导电形貌之该底部与该介层之间。11.申请专利范围第1项之方法,其中该介层含有设置于其间之导电插塞,该导电插塞包含钛。12.申请专利范围第11项之方法,其中该介层含有设置于该导电插塞与该介层之内壁之间的层部。13.申请专利范围第12项之方法,其中导电插塞与下层导电形貌成导电接触,该导电形貌设置在该绝缘层底下。14.申请专利范围第13项之方法,其中该半导体底基代表制造积体电路所使用的半导体底基。15.一种积体电路,具有成形于半导体底基上之组件;包含:蚀刻第一导电层而得的第一导电形貌,该第一导电层设置在该半导体底基上;设置在该第一导电形貌上方的绝缘层,该绝缘层之中具有介层;设置在该介层内的导电插塞,该导电插塞以导电方式联接至该第一导电形貌;与设置在该介层上方的第二导电形貌,蚀刻设置在该绝缘层上方之第二导电层便得到该导电形貌,该导电形貌以导电方式联接于该介层中所设置之该导电插塞且含有:具有第一蚀刻轮廓和第一宽度的顶部;与设置在该顶部底下的底部,该底部所具有之第二蚀刻轮廓异于该第一蚀刻轮廓,该底部所具有之第二宽度大于该第一宽度。16.申请专利范围第15项之积体电路,其中该导电插塞包含钨。17.申请专利范围第16项之积体电路,其中该第一蚀刻轮廓之非等方向性更甚于该第二蚀刻轮廓。18.申请专利范围第15项之积体电路,其中该第二宽度大于该介层直径。19.申请专利范围第18项之积体电路,其中该第一宽度小于该介层之该直径。20.申请专利范围第18项之积体电路,进一步包含介于该导电插塞与该介层内壁之间的层部。21.一种电浆处理室中的方法,用来当以覆置之导电层成形出覆置之导电形貌时防止底层之导电形貌受到损伤,该覆置之导电层藉绝缘层之助于该底层之导电形貌分开,该绝缘层中具有设置于介层内的导电插塞,该导电插塞以经由绝缘层之方式联接于该覆置之导电形貌和该底层之导电层,该方法包含:利用第一蚀刻处方至少部分地蚀刻穿过该覆置之导电层以便形成顶部,该顶部具有第一宽度;与利用异于该第一蚀刻处方的第二蚀刻处方至少部分地蚀刻穿过该覆置之导电层之其余厚度以便形成该覆置之导电形貌之底部,该底部所具有之第二宽度大于该介层之直径和该第一宽度。22.申请专利范围第21项之方法,其中该第一蚀刻处方被配置成具有高于该第二蚀刻处方的蚀刻率。23.申请专利范围第21项之方法,其中该顶部之非等方向性甚于该底部。24.申请专利范围第21项之方法,进一步包含利用异于该第一蚀刻处方和该第二蚀刻处方的第三蚀刻处方蚀刻穿过该导电层之阻障层。25.申请专利范围第24项之方法,进一步包含在蚀刻穿过该覆置之导电层之该其余厚度以后实施过蚀刻步骤。图式简单说明:第一图显示层叠之横断剖面视图,代表可在典型之半导体装置的制造期间成形得到之层部。第二图描述依照习用之蚀刻方法蚀刻导电层以后之第一图之层叠。第三图显示TCPTM9600SE电浆反应器之简化示意图,代表适用于本发明之蚀刻技术的蚀刻反应器。第四图描述含有倾斜之蚀刻足部的导电形貌,该足部系依照本发明之蚀刻技术之实施例而成形。第五图依照本发明之实施例地显示成形出倾斜之蚀刻足部所用的本发明之蚀刻技术。第六图显示本发明之实施例,其中整体之蚀刻步骤以后留下之导电层的部分在两次分开之蚀刻步骤中被蚀刻。第七图显示本发明之实施例,其中整体之蚀刻步骤以后留下之导电层的部分在三次分开之蚀刻步骤中被蚀刻。 |
