| 主权项 |
1.一种清洁半导体晶片表面的方法,该方法包含有下列步骤:对该半导体晶片表面进行一第一电浆清洗(ashing)制程;以及进行一湿式清洗(wet cleaning)制程,该湿式清洗制程包含一含臭氧(ozone,O3)之去离子水(deionized water)的清洗步骤以及一胺类溶剂(amine based solvent)之清洗步骤来清洗该半导体晶片表面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体晶片表面系包含有复数个已定义的闸极结构,每一闸极结构均包含有一闸极氧化层(gate oxide)设于该半导体晶片表面之上,一多晶矽层设于该闸极氧化层之上,以及一金属矽化物层设于该多晶矽层之上。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该金属矽化物层系由矽化钛(Ti-Polycide)所构成。4.如申请专利范围第2项之方法,其中各该闸极结构顶端之上皆形成有一光阻层,用来定义各该闸极结构的位置与图案(pattern)。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一电浆清洗制程系于一压力舱(chamber)中进行,且该压力舱中通入有氧气(oxygen,O2)以及四氟化碳(CF4)。6.如申请专利范围第1项之方法,其中在完成该湿式清洗制程之后,另须对该半导体晶片表面进行一第二电浆清洗制程,且该第二电浆清洗制程系于一含有氧气(oxygen,O2)之压力舱中进行。7.一种完全清除半导体晶片表面之光阻与高分子(polymer)的方法,该方法包含有下列步骤:进行一第一电浆清洗制程,去除大部分的光阻以及部分的高分子;进行一湿式清洗制程,利用一含臭氧(ozone,O3)的去离子水(deionized water)以及一胺类溶剂(amine basedsolvent)来去除残余的高分子;以及进行一第二电浆清洗制程,去除残余的光阻。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该半导体晶片表面另包含有复数个已定义的闸极结构,每一闸极结构均包含有一闸极氧化层设于该半导体晶片表面之上,一多晶矽层设于该闸极氧化层之上,以及一金属矽化物层设于该多晶矽层之上。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该金属矽化物层系由矽化钛所构成。10.如申请专利范围第7项之方法,其中该第一电浆清洗制程系于一压力舱中进行,且该压力舱中通入有氧气(O2)以及四氟化碳(CF4)。11.如申请专利范围第7项之方法,其中该第二电浆清洗制程系于一含有氧气(oxygen,O2)之压力舱中进行。图式简单说明:第一图及第二图为习知于一半导体晶片上定义一闸极之示意图。第三图为习知进行一电浆清洗示意图。第四图为习知进行一含氟类溶剂之湿式清洗示意图。第五图为一含氟溶剂对于控片上之矽氧层之蚀刻速率关系图。第六图为本发明所清洁之一半导体晶片示意图。第七图为本发明之第一电浆清洗制程示意图。第八图为本发明以含臭氧的去离子水及胺类溶剂之清洗示意图。第九图为本发明之第二电浆清洗制程示意图。 |
