| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中更包含下列步骤:e)在该孔洞之表面上镀以一层忌水性材料。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤c)将能量加至该晶格结构,以使该有机成份产生交键。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该结构奈米级粒子由一有机矽所组成,且该有机矽的结构为SiaObCcHd,其中a、b、及c的莫耳分数约为0.05至0.5而d则约为0至0.5。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该a、b及c的莫耳分数以分别约为0.1至0.4.0.1至0.4及0.1至0.5为佳;而d则以约0.05至0.4为佳。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该a、b及c的莫耳分数以分别约为0.15至0.25.0.2至0.35及0.15至0.4为佳;而d则以约0.1至0.4为佳。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该奉献奈米级粒子为锗及氧所组成。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该奉献奈米级粒子为分子晶体所组成。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该奉献奈米级粒子为及 之至少一者所组成。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该奉献奈米级粒子为至少一种有机聚合物所组成。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该奉献奈米级粒子为下列之至少一者所组成:PBMA,PAA,PMMA,PGMMA,PTBA,PS或polyNIPAM。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该奉献奈米级粒子的直径大于该结构奈米级粒子。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤d)中对该奉献奈米级粒子的移除系经由一溶剂的使用而达成。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤d)中对该奉献奈米级粒子的移除系经由对该奉献奈米级粒子氧化而达成。15.一种包含一多孔体的元件,该装置包含电性隔离之奈米级粒子,且该奈米级粒子被融化在一起,该元件更包含一选定量之几为奈米级粒子大小的几为均匀大小孔洞,该孔洞大致以周期性的方式分布在该多孔体中。16.如申请专利范围第15项所述之元件,其中该电性隔离之奈米级粒子利用经交键的有机分子而融化在一起。17.如申请专利范围第15项所述之元件,其中该电性隔离之奈米级粒子至少包含有基矽氧烷,且该矽氧烷的分子式为SiaObCcHd,其中该a、b及c的莫耳分数约为0.05至0.5,而d则约为0至0.5。18.如申请专利范围第15项所述之元件,其中该a、b及c的莫耳分数以分别约为0.1至0.4.0.1至0.4及0.1至0.5为佳,而d则约为0.05至0.4为佳。19.如申请专利范围第18项所述之元件,其中该a、b及c的莫耳分数以分别约为0.15至0.25.0.2至0.35及0.15至0.4为佳,而d则约为0.1至0.4为佳。20.如申请专利范围第15项所述之元件,其中该电性隔离之奈米级粒子被镀以一层忌水性材料。21.如申请专利范围第20项所述之元件,其中该忌水性材料系从六甲基二矽氮烷或六苯基二矽氮烷。22.如申请专利范围第15项所述之元件,其中该孔洞大致均匀排列在该多孔体之仅一部份之内。23.如申请专利范围第16项所述之元件,其中该经交键之有机分子系选自由具烃属烃、属烃、丙烯酸及苯乙烯端点之分子所组成的群组中。24.如申请专利范围第15项所述之元件,其中该均匀大小之孔洞的大小约为0.5至约10nm,且该孔之间隔约为1至约20nm。图式简单说明:第一图为本发明之方法的流程图;第二图a-第二图c说明本发明之方法的三个阶段中奈米级粒子的排列情形;第三图a-第三图b为较佳实施例中奉献粒子移除之前的膜结构;第四图为NaZn13的晶格简示图; |
