发明名称 TRANSCONDUCTANCE CONTROL CIRCUIT OF RTR INPUT TERMINAL
摘要 <p>본 발명은 RTR 차동입력단의 MOS트랜지스터쌍의 동작전압을 변화시켜 트랜스컨덕턴스의 변화를 줄일 수 있는 트랜스컨덕턴스 제어회로에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명은 제1,제2 차동 MOS트랜지스터쌍이 서로 병렬연결된 차동입력단과, 전원전압단자와 제1 차동 MOS트랜지스터쌍의 소스사이에 접속되어, 제1바이어스전류를 제공하는 제1전류소스와, 제2 차동 MOS트랜지스터쌍의 소스와 접지사이에 접속되어, 제2바이어스전류를 제공하는 제2전류소스를 포함한다. 그리고, 본 발명은 제1전류소스 또는 제2전류소스의 바이어스전류를 검출하는 전류검출회로를 포함하며, 상기 전류검출회로는 VDD에서 VSS로 이르는 1개의 DC경로를 갖는다.</p>
申请公布号 KR100313504(B1) 申请公布日期 2002.01.19
申请号 KR19990005029 申请日期 1999.02.12
申请人 null, null 发明人 홍국태
分类号 H03F3/45 主分类号 H03F3/45
代理机构 代理人
主权项
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