| 主权项 |
1.一种半导体装置,其系在配线基板之一面上利用覆晶术接合半导体元件,同时在前述配线基板之相反面上形成栅状的锡球,其特征为:在前述配线基板之端部上,形成用以进行电连接的平坦端子。2.一种半导体装置,其系在配线基板之一面上利用覆晶术接合半导体元件,同时在前述配线基板之相反面上形成栅状的锡球,其特征为:使前述配线基板之电源平面及接地平面露出。3.一种半导体装置,其系在配线基板之一面上利用覆晶术接合半导体元件,同时在前述配线基板之相反面上形成栅状的锡球,其特征为:在前述配线基板之表面上形成电源端子及接地端子。4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中电源端子及接地端子系形成环状。5.一种半导体装置,其系在配线基板之一面上利用覆晶术接合半导体元件,同时在前述配线基板之相反面上形成栅状的锡球,其特征为:在露出于前述配线基板表面之接地平面、或形成于前述配线基板表面之环状接地端子上连接有散热器,俾在前述半导体元件背面施加接地电位。6.一种半导体装置,其系在配线基板之一面上利用覆晶术接合半导体元件,同时在前述配线基板之相反面上形成栅状的锡球,其特征为:为俾于露出于前述配线基板表面之电源平面及接地平面、或形成于前述配线基板表面之电源端子及接地端子之电连接作业,而在露出于前述配线基板表面之电源平面及接地平面、或形成于前述配线基板表面之电源端子及接地端子上安装有引线端子。图式简单说明:图1显示本发明实施形态1之半导体装置的立体图。图2显示本发明实施形态2之半导体装置的截面图。图3显示本发明实施形态3之半导体装置的立体图。图4显示本发明实施形态4之半导体装置的立体图。图5(A)、(B)显示本发明实施形态5之半导体装置的截面图。图6(A)、(B)显示本发明实施形态6之半导体装置的立体图。图7系显示习知之半导体装置的截面图。 |
