发明名称 具有半透明相移区之修整光罩
摘要 为了在半导体制造中用于微影地制造出小于曝光波长之最小结构,系利用一种厚相位光罩以及一种整修光罩施行双曝光作业而达成的,该整修光罩会进一步建造由该相位光罩制造之相位-反差线段;除了透明区或不透明区之外该整修光罩也含有相移区,由该相位光罩制造之相位-反差线段曾透过该整修光罩之周围透明区接受区域性再曝光也就是说受到干扰,透过该在第二光罩上加入相移性部分透明区能够使接续线段区段之强度轮廓具有特别鲜明的反差;因此减小了各线段区段之间的距离,因此使整修光罩(在其他方面只用于较大结构)适用于具有最微细尺寸关键性结构的构造。
申请公布号 TW477918 申请公布日期 2002.03.01
申请号 TW089120882 申请日期 2000.10.09
申请人 印芬龙科技股份有限公司 发明人 雷纳普霍尔;克利斯多夫福瑞德立契;克劳斯尔根曾尼格;福立兹干斯;涡格伦森革;威荷姆茂尔;裘根卡那伯劳契
分类号 G03F9/00 主分类号 G03F9/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种光罩组,包括:至少两个光罩(包含第一光罩和第二光罩),系相互并列而投影到相同平面之上;该第一光罩含有透明的第一区和第二区,其间存在着相移关系加以制造出尺寸上的关键结构;第二光罩含有透明区和不透明区以制造其他结构,且该第二光罩也含有相移区。2.如申请专利范围第1项之光罩组,其中配置该第二光罩的相移区以便进一步建造由第一光罩制造之具有尺寸关键性的结构。3.如申请专利范围第1项之光罩组,其中该第二光罩含有的隔离区系选自一组由具有半透明相移边缘之透明区和具有该半透明相移边缘之不透明区构成的区域。4.如申请专利范围第3项之光罩组,其中该第一光罩会制造出反相位-反差线段,并将具有该半透明相移边缘之透明区配置于该第二光罩上以干扰由第一光罩制造之各相位-反差线段。5.如申请专利范围第1项之光罩组,其中该第二光罩含有隔离的相移面积。6.如申请专利范围第1项之光罩组,其中该第一光罩含有不透明区。7.如申请专利范围第1项之光罩组,其中该第一光罩之该第二区会受到比该透明的第一区更深的蚀刻作用。8.如申请专利范围第1项之光罩组,其中该第二光罩之该相移区都是半透明区。9.如申请专利范围第8项之光罩组,其中该第二光罩之该相移区会透射5到10%的入射光线。10.如申请专利范围第1项之光罩组,其中该相移区会制造大概180的相移。11.如申请专利范围第1项之光罩组,其中该第一光罩之该第二区会受到比该透明的第一区更浅的蚀刻作用。12.一种微影地建造表面之方法,系包括下列步骤:将至少两个光罩(包含第一光罩和第二光罩)投影到该平面之上;第一光罩含有透明的第一区和第二区,其间存在着相移关系以制造出尺寸上的关键结构;第二光罩含有透明区和不透明区以制造其他结构,且该第二光罩也含有相移区。13.如申请专利范围第12项之微影地建造表面之方法,其中包括对第二光罩之相移区施行配置及投影以便进一步建造由第一光罩制造之具有尺寸关键性的结构。14.如申请专利范围第13项之微影地建造表面之方法,其中包括以第一光罩形成靠近的相位-反差线段,再藉由第二光罩之投影干扰靠近的相位-反差线段。15.如申请专利范围第14项之微影地建造表面之方法,其中包括透过该第二光罩上具有半透明相移边缘之透明区对它们施行区域性再曝光。16.如申请专利范围第12项之微影地建造表面之方法,其中包括于正阻抗材料内制造出具有尺寸关键性宽度的跨距。图式简单说明:第1a到1c图系用以显示三种将要根据本发明在两个光罩之辅助下制造于面积A,B和C内之阻抗结构的分解图。第2a到2c图显示的是第一光罩中对应到第1a到1c图中面积A,B和C的面积。第3a到3c图显示的是第二光罩中的对应面积。
地址 德国