RELAXED SEMICONDUCTOR LAYERS WITH REDUCED DEFECTS AND METHODS OF FORMING THE SAME

摘要

실리콘 게르마늄 층을 형성하는 방법들은 실리콘 기판 상에 SiGe의 에피택시얼 층을 형성하되, 상기 SiGe의 에피택시얼 층은 실리콘 상의 SiGe내에 관통 전위들이 형성되는 임계 두께(hc)보다 작은 두께를 가지는 것; 상기 SiGe의 에피택시얼 층을 식각하여 상기 SiGe의 에피택시얼 층 내에 트렌치를 정의하는 SiGe필라들을 형성하되, 상기 트렌치는 높이와 너비를 가지며, 상기 트렌치는 적어도 1.5 이상의 너비에 대한 높이의 종횡비를 가지는 것; 및 상기 SiGe필라들의 상부들로부터 SiGe의 서스펜디드 층을 에피택시얼하게 성장시키되, 상기 SiGe의 서스펜디드 층은 상기 트렌치 내의 그리고 상기 SiGe의 서스펜디드 층의 아래의 에어 갭을 정의하는 것을 포함한다.