| 主权项 |
1.一种高能量辐射系统,包括UV辐射源,其中该系统包括选择性衰减材料,可选择性衰减至少30%撞击于该衰减材料上之高于200nm迄240nm的辐射线,而增加想要的辐射线对不想要的辐射线之比率,以降低辐射线对目标之损害,其并可导引50%以上撞击于该衰减材料上之240nm至280nm的辐射线。2.根据申请专利范围第1项之系统,其中该经选择性衰减之辐射线系100nm迄240nm。3.根据申请专利范围第1项之系统,其中该经选择性衰减之辐射线系180nm迄240nm。4.根据申请专利范围第3项之系统,其中该系统可选择性衰减至少60%之180nm迄240nm的辐射线。5.根据申请专利范围第3项之系统,其中该系统可选择性衰减至少90%之180nm迄240nm的辐射线。6.根据申请专利范围第1项之系统,其中该系统可选择性衰减90%以上之高于200nm迄240nm的辐射线。7.根据申请专利范围第1项之系统,其中该系统可导引75%以上之240nm至280nm的辐射线。8.根据申请专利范围第4项之系统,其中该系统可导引75%以上之240nm至280nm的辐射线。9.根据申请专利范围第4项之系统,其中该系统可导引90%以上之240nm至280nm的辐射线。10.根据申请专利范围第2项之系统,其中该系统可导引90%以上之240nm迄280nm的辐射线,且其中该系统可选择性衰减至少90%之100nm至240nm的辐射线。11.根据申请专利范围第1项之系统,其中该衰减材料系具有1.2之衰减比率。12.根据申请专利范围第3项之系统,其中该衰减材料系具有1.8之衰减比率。13.根据申请专利范围第1项之系统,其中该衰减材料系含有一气体。14.根据申请专利范围第1项之系统,其中该衰减材料系含有一液体。15.根据申请专利范围第14项之系统,其中该液体系选自于多醇类、卤化碳化合物、有机碳酸酯类、矽化合物、上述液体之混合物、以及于液体载体中之固态衰减材料中者。16.根据申请专利范围第14项之系统,其中该液体系选自于烷基醇、具有200至1,000之重量平均分子量的丙二醇类、氟碳化合物、氯碳化合物、氯仿、全卤化碳化合物、氟利昂(freon)、氟奈特(fluorinerts)、于其组成中具有氮之氟奈特(fluorinerts)、脂族碳酸酯类、碳酸伸丙酯类、矽酸钠、聚矽氧烷化合物、聚二甲基矽氧烷类、以氢化物为终端之矽酮油、以及上述液体之混合物中者。17.根据申请专利范围第14项之系统,其中该液体系包括氯仿与碳酸伸丙酯。18.根据申请专利范围第15项之系统,其中液态衰减材料之位置系选自于介于灯壳与流管之间、介于流管与保护窗之间、于邻近反射器之通道内、于邻近保护窗之通道内、以及于介于目标与辐射源间之通道内中者。19.根据申请专利范围第1项之系统,其中该衰减材料系含有一固体。20.根据申请专利范围第19项之系统,其中该固体系选自于硷金属化合物、重金属氧化物、二价金属氧化物与多价金属氧化物、稀土金属氧化物、稀土金属卤化物、以及金属结合氧化物中者。21.根据申请专利范围第19项之系统,其中该固体系包括MaObXcHd,其中M为单一金属或金属之混合,O为氧,X为杂原子,且H为卤化物,a为1至20,b为0至20,c为0至20,且d为0至20,但至少b、c或d为至少1。22.根据申请专利范围第19项之系统,其中该固体材料系具有一大于99.9%之纯度。23.根据申请专利范围第19项之系统,其中该固体材料系选自于氧化钙、氧化铪、氧化镧、氧化铁、氧化铽、氧化镨、钛酸钡、氟化镁、氧化镁、氧化铝、氧化钡、钛酸钡、氧化钛、氧化钙、氧化镧、氧化锗、氧化碲、氧化铕、氧化铒、氧化钕、氧化钐、氧化镱、氧化钇及氧化镝中者。24.根据申请专利范围第19项之系统,其中该固体材料系选自于氧化镁、氧化铒、氧化钬、氧化钐、氧化碲、氧化镧、氧化镱、以及氧化钇中者。25.根据申请专利范围第19项之系统,其中该固体材料系选自于氧化镧、氧化镱、以及氧化钇中者。26.根据申请专利范围第3项之系统,其中衰减材料系为并入该系统之灯壳、保护窗、流管、反射器、通道、透明支撑件、阻断元件、或可去除固态材料中做为掺杂物的固态衰减材料。27.根据申请专利范围第3项之系统,其中衰减材料系为并入该系统之灯罩、保护窗、流管、反射器、通道、透明支撑件、阻断元件、或可去除固态材料上做为涂层的固态衰减材料。28.根据申请专利范围第27项之系统,其中该涂层系可藉由刷涂、喷洒、电浆涂布、浸渍、浇铸、转化涂布、凝胶涂布、蚀刻、化学蒸气沉积、溅镀、或化学或机械黏合的方式被施予。29.根据申请专利范围第19项之系统,其中该固态衰减材料系包含选自于聚乙烯醇类、氰基丙烯酸酯类、丙烯酸类、矽酮类中之材料。30.根据申请专利范围第29项之系统,其中该固态衰减材料系包括选自于矽酸钠、低温烧结玻璃、硷性氧化物矽酸盐、矽酸钠、钾与锂、溶胶黏合剂先质、第三丁氧化铝、矽酸钠、四乙基原矽酸酯(TEOS)、金属异丙氧化物、异丙醇中之乙基己醯二异丙氧化镝、己烷中之2-乙基己酸镝、甲苯-异丙醇中之异丙氧化镝、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化镝、异丙醇中之乙基己醯二异丙氧化铒、己烷中之2-乙基己酸铒、甲苯-异丙醇中之异丙氧化铒、异丙醇中之乙基己醯二异丙氧化钛、甲苯-异丙醇中异丙氧化钬、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化钬、乙酸镧、己烷中之2-乙基己酸镧、异丙氧化镧、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化镧、乙醇中之乙氧化镁、甲醇中之甲氧化镁、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化镁、异丙醇中之乙基己醯二异丙氧化钕、己烷中之2-乙基己酸钕、甲苯-异丙醇中异丙氧化钕、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化钕、甲苯异丙醇中之乙基己醯单异丙氧化钐、己烷中之2-乙基己酸钐、甲苯-异丙醇中异丙氧化钐、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化钐、甲苯-异丙醇中之异丙氧化镱、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化镱、甲苯-异丙醇中之乙基己醯二异丙氧化钇、以及甲苯异丙醇中之乙基己醯单异丙氧化钇中之材料。31.根据申请专利范围第29项之系统,其中该固态衰减材料系包括选自于乙酸镧、己烷中之2-乙基己酸镧、异丙氧化镧、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化镧、甲苯-异丙醇中之异丙氧化镱、2-甲氧基乙醇中之2-甲氧基乙氧化镱、甲苯-异丙醇中之乙基己醯二异丙氧化镱、以及甲苯异丙醇中之乙基己醯单异丙氧化钇中之材料。32.根据申请专利范围第27项之系统,其中衰减涂层之厚度系介于0.1至2500微米之间。33.根据申请专利范围第1项之系统,其中该反射器系更进一步包括选自于磨光之铝、硫酸钡、氧化铝、氟化镁与氧化镁中之反射材料。34.根据申请专利范围第1项之系统,其中该反射器系包括硫酸钡与氧化镧。35.根据申请专利范围第1项之系统,其中反射器系可自含有反射器材料与衰减材料之成型固体切削出来。36.根据申请专利范围第34项之系统,其中衰减材料系选自于氧化镧、氧化钇与氧化镱中者。37.根据申请专利范围第1项之系统,其更包括一阻断元件。38.根据申请专利范围第37项之系统,其中该阻断元件系包括衰减材料,并具有一漫反射表面。39.根据申请专利范围第1项之系统,其中辐射源不会产生直接撞击目标之辐射线。40.根据申请专利范围第1项之系统,其更进一步包括至少一辐射源之反射器,其中该反射器系为一椭圆形之漫反射器。41.根据申请专利范围第1项之系统,其更进一步包括一含有选择性衰减材料之可去除固态材料,该固态材料系位于辐射源与目标之间者。42.根据申请专利范围第41项之系统,其中该可去除固态材料系具有选自于薄膜、团块、板片以及填装于支撑件中之粉末中的形式者。43.根据申请专利范围第42项之系统,其中薄膜系包括选自于聚醯胺与聚烯烃中之聚合性材料者。44.根据申请专利范围第1项之系统,其中该系统系更进一步包括一目标,其中该目标系包括上述之衰减材料。45.根据申请专利范围第44项之系统,其中该目标系包括选自于尼龙、氧化镧、己二酸、己二酸钡、己二酸钙、己二酸镁、己二酸二铜、羧酸类与溶胶先质中之材料。46.根据申请专利范围第44项之系统,其中该目标系更进一步包括一容器与一产品,其中该容器系包括选自于六氟乙醯基丙铜酸钡、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸钡、乙醯基丙酮酸镧水合物、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸镧、乙醯基丙酮酸镁二水合物、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸镁、乙醯基丙酮酸镱、六氟乙醯基丙酮酸镜、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸镱、乙醯基丙酮酸钇、六氟乙醯基丙酮酸钇、以及2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸钇中之材料。47.根据申请专利范围第1项之系统,其中衰减材料系于230至250nm间进行大于2之%反射率/nm变化。48.根据申请专利范围第1项之系统,其中衰减材料系于235至245nm间进行大于3之%反射率/nm变化。49.一种高能量辐射系统,包括UV辐射源,其中该系统包括选择性衰减材料,可选择性衰减至少30%撞击于该衰减材料上之高于200nm迄250nm的辐射线,而增加想要的辐射线对不想要的辐射线之比率,以降低辐射线对目标之损害,并可导引50%以上撞击于该衰减材料上之250nm至280nm的辐射线。图式简单说明:图1示出可用于本发明之多种液态衰减材料之每波长的吸收度。图2示出具有衰减材料之本发明闪光灯之横剖面。图3示出具有衰减材料之另一本发明闪光灯之横剖面。图4示出具有衰减材料之另一本发明闪光灯之横剖面。图5示出具有衰减材料之另一本发明闪光灯之横剖面。图6示出具有衰减材料之另一本发明闪光灯之横剖面。图7示出在具有与不具有本发明衰减材料之系统,隐形眼镜聚合物之平衡水含量对聚合物所受到之辐射能量之图形。 |
