| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一罩幕层;于该基底中形成一沟渠,该沟渠之一顶角已被圆角化;进行一高密度电浆化学气相沈积制程,以在该基底上形成一绝缘层,该绝缘层覆盖该罩幕层并且填满该沟渠,并且该高密度电浆化学气相沈积制程区分为一第一阶段以及一第二阶段,其中,该第二阶段的蚀刻/沈积比低于该第一阶段的蚀刻/沈积比;去除该沟渠之外之该绝缘层;去除该罩幕层;以及去除该垫氧化层,以形成浅沟渠隔离结构。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中,该第一阶段的蚀刻/沈积比为0.15至0.6左右,该第二阶段的蚀刻/沈积比为0.02至0.15左右。3.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第一阶段的操作功率为2700W至4500W左右的低频射频以及2700W至4000W左右的高频射频,且反应气体源为矽甲烷、氧气以及氮气。4.如申请专利范围第3项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第一阶段之矽甲烷的流量为80sccm至150sccm左右,氧气的流量为120sccm至210sccm左右,以及氦气的流量为180sccm至280sccm左右。5.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第二阶段的操作功率为3700W至5000W左右的低频射频以及1400W至2700W左右的高频射频,且反应气体源为矽甲烷、氧气以及氮气。6.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第二阶段之矽甲烷的流量为100sccm至200sccm左右,氧气的流量为180sccm至280sccm左右,以及氦气的流量为350sccm至460sccm左右。7.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该绝缘层的材质包括氧化矽。8.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一罩幕层;于该基底中形成一沟渠;以一第一高密度电浆化学气相沈积制程,至少于该沟渠中形成一第一绝缘层,其中该第一高密度电浆化学气相沈积制程的蚀刻/沈积比为0.15至0.6左右;以一第二高密度电浆化学气相沈积制程,在该基底上形成一第二绝缘层以覆盖该基底,并填满该沟渠,其中该第二高密度电浆化学气相沈积制程的蚀刻/沈积比为0.02至0.15左右;去除该沟渠之外之该第二绝缘层;去除该罩幕层;以及去除该垫氧化层,以形成浅沟渠隔离结构。9.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,在进行该第一高密度电浆化学气相沈积制程之前更包括一将该沟渠之顶角圆角化的步骤。10.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第一高密度电浆化学气相沈积制程的操作功率为2700W至4500W左右的低频射频以及2700W至4000W左右的高频射频,且反应气体源为矽甲烷、氧气以及氮气。11.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第1高密度电浆化学气相沈积制程中,矽甲烷的流量为80sccm至150sccm左右,氧气的流量为120sccm至210sccm左右,以及氦气的流量为180sccm至280sccm左右。12.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第一绝缘层的材质包括氧化矽。13.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第二高密度电浆化学气相沈积制程的操作功率为3700W至5000W左右的低频射频以及1400W至2700W左右的高频射频,且反应气体源为矽甲烷、氧气以及氮气。14.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第二高密度电浆化学气相沈积制程中,矽甲烷的流量为100sccm至200sccm左右,氧气的流量为180sccm至280sccm左右,以及氦气的流量为350sccm至460sccm左右。15.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第二绝缘层的材质包括氧化矽。16.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第一高密度电浆化学气相沈积制程以及该第二高密度电浆化学气相沈积制程系于同一沈积反应室中连续进行。图式简单说明:第1A图至第1D图系绘示习知一种浅沟渠隔离结构之制造流程的剖面示意图;以及第2A图至第2F图系绘示依照本发明一较佳实施例之一种浅沟渠隔离结构之制造流程的剖面示意图。 |
