| 主权项 |
1.一种气体储存与分配系统,包括:气体储存及分配容器,其密封体内具压缩气体,其中容器包含一埠;固接于容器埠的阀门头;与阀门接头气体流通耦合之气体分配总成;位于容器内之气压调节器,其位于阀门头之下,其配置系为维持气体自容器以一预定压力排出;选择促动气体分配总成,俾利气体自容器内流出,经过气压调节器、阀门头及气体分配总成,将气体自容器内排出。2.如申请专利范围第1项之气体储存与分配系统,更包含阀门头与气压调节器间的微粒过滤器。3.如申请专利范围第1项之气体储存与分配系统,其中该分配总成包括操作与阀门促动器偶合之流量控制阀,以及用来促动阀门促动器之自动控制器,俾开始调整容器中用来控制自液态衍生为排放气体之流量阀门。4.如申请专利范围第1项之气体储存与分配系统,更包含纳存于容器内之气体,系选自由氢化物气体、卤化物气体及气态有机金属化物组成之群组中。5.如申请专利范围第1项之气体储存与分配系统,更包含纳存于容器内之气体,系选自由砷化三氢、磷化氢、氢化锑、矽甲烷、二硼氢化物、氢氟酸、三氯化硼、三氟化硼、氢氯酸、卤化矽甲烷与二矽甲烷组成之群组中。6.如申请专利范围第1项之气体储存与分配系统,更包含纳存于容器内之气体,系选自由砷化三氢、三氯化硼及三氟化硼组成之群组中。7.如申请专利范围第1项之气体储存与分配系统,其中该气压调节器系第一气压调节器,且更包含与第一气压调节器以串接方式接合之第二气压调节器。8.如申请专利范围第7项之气体储存与分配系统,其中第一气压调节器的设定点电压范围自约1 Torr至约2550psig。9.如申请专利范围第7项之气体储存与分配系统,其中第二气压调节器的设定点电压范围自约20psig至约2550 psig。10.如申请专利范围第7项之气体储存与分配系统,其中第二气压调节器的设定点电压高于第一气压调节器的设定点电压。11.如申请专利范围第7项之气体储存与分配系统,其中第二气压调节器的设定点电压至少为第一气压调节器的设定点电压的两倍。12.如申请专利范围第7项之气体储存与分配系统,其中第二气压调节器与第一气压调节器垂直同轴对准。13.如申请专利范围第7项之气体储存与分配系统,其中第二气压调节器与其微粒过滤器入口端相接。14.如申请专利范围第7项之气体储存与分配系统,其中第一气压调节器之排气端与第一微粒过滤器相接;而第二气压调节器之入口端与第二微粒过滤器相接。15.如申请专利范围第14项之气体储存与分配系统,其中第一微粒过滤器、第一气压调节器、第二气压调节器及第二微粒过滤器彼此同轴对准。16.如申请专利范围第1项之气体储存与分配系统,其中阀门头包含一双步阀体。17.如申请专利范围第16项之气体储存与分配系统,其中阀体下方位于容器内部份与一延伸管相接,自阀体向下延伸至容器内体,且其下端与气压调节器相接。18.如申请专利范围第17项之气体储存与分配系统,其中延伸管与阀体内的排气通道同轴对准,且该排气通道与气体分配总成气流导通偶合。19.如申请专利范围第18项之气体储存与分配系统,其中气体分配总成包含一在其上之流量控制阀。20.如申请专利范围第1项之气体储存与分配系统,其中气体分配总成与半导体制造设施气流导通相接。图式简单说明:图1为依本发明之一具体例的气体储存及分配系统概略横剖面图。图2为图1所示之气体储存及分配系统的阀门头总成透视图。图3为图1所示之气体储存及分配系统的过滤单元立面图。图4为为图1所示之气体储存及分配系统的调节器部份切开图。图5为为图1所示之气体储存及分配系统的气体储存及分配容器之上剖面的剖面前视图。图6为依本发明之另一具体例的气体储存及分配系统概略横剖面前视图。 |
