| 摘要 |
프로세싱 동안에 터널링 배리어 층을 보호하는 스페이서 층을 증착하는 단계를 포함하는, MRAM 비트를 제작하기 위한 방법이 개시된다. 증착된 스페이서 층은, 추후의 프로세싱에서 형성되는 부산물들이 터널링 배리어 층 상에 재증착하는 것을 방지한다. 그러한 재증착은, 제품 고장, 및 감소된 제조 수율을 초래할 수 있다. 방법은, MRAM 비트들의 층들에 대한 손상을 방지하는 비-부식성 프로세싱 조건들을 더 포함한다. 비-부식성 프로세싱 조건들은, 할로겐-계 플라즈마를 사용하지 않는 에칭을 포함할 수 있다. 본원에서 개시되는 실시예들은, 프로세싱을 단순화하는 에칭-증착-에칭 시퀀스를 사용한다. |
