发明名称 膜形成装置
摘要 本发明系一种膜形成装置,系用以将涂附液涂附于基板,以于该基板上形成涂附膜者,且具有一可与前述基板作直接或间接接触,至少可变更前述基板周边部温度之加热及/或冷却构件。藉由变更该基板外缘部之温度,可改变涂布于前述基板外缘部之涂布液温度。因此,使基板上之涂布液表面张力减少或增加,且可防止涂附液于基板外缘部鼓起或膜厚之减低者。其结果,可于基板外缘部形成一定膜厚之涂附膜,谋求良品率之提升。
申请公布号 TW499697 申请公布日期 2002.08.21
申请号 TW089126758 申请日期 2000.12.14
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 北野高广;小林真二;江崎幸彦;森川佑晃
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种膜形成装置,系一用以于基板上涂布涂布液,以于该基板上形成涂布膜者,且具有一加热及∕或冷却构件,该加热及∕或冷却构件系用以与前述基板直接或间接接触,以改变至少前述基板周边部之温度,且该加热及∕或冷却构件具有一用以将前述加热及∕冷却构件调整至预定温度之温度变更体。2.如申请专利范围第1项之膜形成装置,更具有一用以与前述基板作相对移动且朝前述基板吐出涂布液之涂布液吐出部,该涂布液吐出部系可一边朝前述基板表面吐出涂布液,一面相对于前述基板作相对移动者。3.如申请专利范围第1项之膜形成装置,其中该加热及∕或冷却构件系设于一用以载置基板之载置台上。4.如申请专利范围第2项之膜形成装置,其中该加热及∕或冷却构件系对应于前述基板外缘部之形状而形成环状者,且可与前述基板下面相接触。5.如申请专利范围第4项之膜形成装置,其中该加热及∕或冷却构件系可自由上下移动者。6.如申请专利范围第4项之膜形成装置,其中该加热及∕或冷却构件上系具有一接触构件,该接触构件系于前述加热及∕或冷却构件与前述基板相接触时可存在于两者间者。7.如申请专利范围第4项之膜形成装置,其中该加热及∕或冷却构件系于每一业已划分之领域上具有一前述温度变更体,构建成可于每一领域调节温度者。8.如申请专利范围第3项之膜形成装置,其中该加热及∕或冷却构件之内侧系设有一用以降低前述基板之温度之冷却构件。9.如申请专利范围第7项之膜形成装置,其中该加热及∕或冷却构件系具有一由平面观察时呈圆形且呈圆弧状划分之领域。10.如申请专利范围第8项之膜形成装置,其中该冷却构件之内侧更具有一用以加热前述基板之加热构件。11.一种膜形成装置.系一用以于基板涂布涂布液,以于该基板上形成涂布膜者,且具有一溶剂供给装置,该溶剂供给装置系用以至少相对于前述基板外缘部供给前述涂布液之溶剂的雾气或蒸气者。12.如申请专利范围第11项之膜形成装置,其系于前述基板外缘部之上方设有一遮蔽构件,以防涂布于前述基板之涂布液涂布上基板外者;而,前述溶剂供给装置系设于该遮蔽构件。13.如申请专利范围第11项之膜形成装置,更具有一用以与前述基板作相对移动且朝前述基板吐出涂布液之涂布液吐出部,该涂布液吐出部系可一边朝前述基板表面吐出涂布液,一面相对于前述基板作相对移动者。图式简单说明:第1图系用以显示具有本实施形态之光阻涂布装置之涂布显影处理系统外观之平面图。第2图系第1图之涂布显影处理系统之正面图。第3图系第1图之涂布显影处理系统之背面图。第4图系用以说明显示第1图之涂布显影处理系统之纵截面之说明图。第5图系用以说明显示第1图之涂布显影处理系统之横截面之说明图。第6图系用以说明显示第1图之涂布显影处理系统中用以将晶圆加热之加热及∕或冷却构件之说明图。第7图系用以说明显示将光阻液涂布至晶圆上时,于晶圆周缘部所产生之鼓起之说明图。第8图系用以说明显示藉由加热及∕或冷却构件将晶圆加热时之状态之说明图。第9图系用以说明显示第1实施形态吐出光阻液喷嘴之涂布路线之说明图。第10图系用以说明显示将晶圆周缘部加热时,光阻液之状态之说明图。第11图系用以说明显示将冷却构件装设在加热及∕或冷却构件内侧时之说明图。第12图系用以说明显示于冷却构件内侧装设加热构件时之说明图。第13图系用以说明显示第2实施形态光阻涂布装置之纵截面之说明图。第14图系用以说明显示用以供给溶剂之喷嘴相对于光阻涂布装置之罩盖构件之位置之说明图。第15图系用以说明显示供给溶剂至晶圆外缘部之供应范围之说明图。第16图系用以说明显示于载置台具备有加热及∕或冷却构件之光阻涂布装置之纵截面之说明图。
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