记忆体相容控制器

摘要

本创作系关于一种记忆体相容控制器，尤指一种可自动侦测及提供SDRAM及DDR-RAM所需之不同供应电压及终端电压的相容控制器，达到令同一记忆体控制晶片达到可同时支援两种不同记忆体规格者，主体结构上为包括 SDRAM及DDR-DRAM插槽、电压切换电路、侦测电晶体以及终端电路所组成，于SDRAM插槽之定义为与 SDRAM接地接脚连接之浮接接脚接至电压切换电路以及经侦测电晶体而再与终端电路连接，故可在SDRAM插入后，即可在该浮接接脚处形成地电压及分别透过电压切换电路自动设定供应SDRAM电压及切断DDR-DRAM终端电路，反之，则令DDR-DRAM插槽正常运作者。

主权项

1.一种记忆体相容控制器,包括:至少一SDRAM记忆体插槽,供插接SDRAM记忆体,其滙流排与电脑系统之记忆体控制晶片连接,插槽中之其一可与SDRAM记忆体之电源接脚对应之浮接接脚,系定义为供控制其他线路之侦测接脚;至少一DDR-RAM记忆体插槽,供插接DDR-RAM记忆体,其滙流排与电脑系统之记忆体控制晶片连接;一电压切换电路,具有一与前述侦测接脚连接之切换输入端,同在输入高低位准之电压而输出SDRAM或DDR-RAM所需供应电压;一终端电路,为由多数电晶体构成可由控制端控制某启闭之电子开关,各电晶体的一端连接参考电压(VTT),另端分别串接终端电阻而与DDR-RAM记忆体插槽之滙流排连接,而该控制端为受控于前述侦测接脚;藉以构成一可在某一种规格的记忆体插入至相应插槽时,自动切换插槽之供应电压及启闭插槽周边之线路,以令此架构可适用于SDRAM或DDR-RAM记忆体者。2.如申请专利范围第1项所述之记忆体相容控制器,其中该电压切换电路为依照切换输入端所呈现之电压,而输出2.5伏特或3.3伏特之电压者。3.如申请专利范围第1项所述之记忆体相容控制器,其中该侦测接脚与终端电路之间更串接有一侦测电晶体,以供讯号极性转换者。4.如申请专利范围第1项所述之记忆体相容控制器,其中该终端电路之电晶体可为场效应电晶体或电子开关构成者。图式简单说明:第一图:系本创作之电路结构图。第二图:系传统SDRAM的连接示意图。第三图:系传统DDR-DRAM的连接示意图。