| 主权项 |
1.一种自动对准接触窗开口之制造方法,包括:于一基底上形成一导线,该导线的上方有一含氮的顶盖层,该导线和该含氮的顶盖层之侧壁有一含氮的间隙壁;覆盖一氧化矽层,并剥除部份该氧化矽层,至暴露出该含氮的顶盖层;于所暴露出之该含氮的顶盖层上选择性的形成一复晶矽层;于该复晶矽层和该氧化矽层上形成一光阻图案层;以该光阻图案层为蚀刻罩幕,并佐以该复晶矽层为罩幕,进行一蚀刻制程,以形成该自动对准接触窗开口;以及剥除该光阻图案层。2.如申请专利范围第1项所述之自动对准接触窗开口之制造方法,其中该含氮的顶盖层和该含氮的间隙壁之材质包括氮化矽。3.如申请专利范围第1项所述之自动对准接触窗开口之制造方法,其中在进行该蚀刻制程的步骤中,更包括佐以该含氮的间隙壁为罩幕。4.如申请专利范围第1项所述之自动对准接触窗开口之制造方法,其中该复晶矽层更包括延伸至该含氮的间隙壁之角落,而呈一突块状。5.如申请专利范围第4项所述之自动对准接触窗开口之制造方法,其中该自动对准接触窗开口与该含氮的间隙壁之间更包括部份该氧化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之自动对准接触窗开口之制造方法,其中该蚀刻制程的蚀刻剂包括含碳氟的蚀刻剂。7.如申请专利范围第6项所述之自动对准接触窗开口之制造方法,其中该含碳氟的蚀刻剂包括C4F8.CH2F2或C5F8。8.一种自动对准接触窗开口之制造方法,包括:于一基底上形成一导电层和一含氮的绝缘层;于该含氮的绝缘层上形成一复晶矽层;将该导电层、该含氮的绝缘层和该复晶矽层图案化,以分别形成一导线、一含氮的顶盖层和一复晶矽保护层;在该导线、该含氮的顶盖层和该复晶矽保护层的侧壁形成一含氮的间隙壁;覆盖一氧化矽层于该复晶矽保护层和该含氮的间隙壁上;将该氧化矽层平坦化;于已经平坦化之该氧化矽层上形成一光阻图案层;以该光阻图案层为蚀刻罩幕,并佐以该复晶矽保护层为罩幕,进行一蚀刻制程,以于该氧化矽层中形成该自动对准接触窗开口;以及剥除该光阻图案层。9.如申请专利范围第8项所述之自动对准接触窗开口之制造方法,其中该含氮的绝缘层和该含氮的间隙壁之材质包括氮化矽。10.如申请专利范围第8项所述之自动对准接触窗开口之制造方法,其中将该氧化矽层平坦化后,该氧化矽层的表面高于该复晶矽保护层的表面。11.如申请专利范围第8项所述之自动对准接触窗开口之制造方法,其中将该氧化矽层平坦化后,该氧化矽层的表面大致与该复晶矽保护层的表面齐平。12.如申请专利范围第8项所述之自动对准接触窗开口之制造方法,其中该蚀刻制程的蚀刻剂包括含碳氟的蚀刻剂。13.如申请专利范围第12项所述之自动对准接触窗开口之制造方法,其中该含碳氟的蚀刻剂包括C4F8.CH2F2或C5F8。14.一种自动对准接触窗开口之制造方法,包括:于一基底上形成一导电层和一含氮的绝缘层;于该含氮的绝缘层上形成一复晶矽层;将该导电层、该含氮的绝缘层和该复晶矽层图案化,以分别形成一导线、一含氮的顶盖层和一复晶矽保护层;在该导线、该含氮的顶盖层和该复晶矽保护层的侧壁形成一含氮的间隙壁;覆盖一氧化矽层,并剥除部份该氧化矽层,直至暴露出该复晶矽保护层和部份该含氮的间隙壁;于该含氮的间隙壁之侧壁形成一复晶矽间隙壁;于该氧化矽层、该复晶矽保护层和该复晶矽间隙壁上形成一光阻图案层;以该光阻图案层为蚀刻罩幕,并佐以该复晶矽保护层和该复晶矽间隙壁为罩幕,进行一蚀刻制程,以于该氧化矽层中形成该自动对准接触窗开口;以及剥除该光阻图案层。15.如申请专利范围第14项所述之自动对准接触窗开口之制造方法,其中该含氮的绝缘层和该含氮的间隙壁之材质包括氮化矽。16.如申请专利范围第14项所述之自动对准接触窗开口之制造方法,其中该蚀刻制程的蚀刻剂包括含碳氟的蚀刻剂。17.如申请专利范围第16项所述之自动对准接触窗开口之制造方法,其中该含碳氟的蚀刻剂包括C4F8.CH2F2或C5F8。图式简单说明:第1A图至第1E图系绘示根据本发明第一较佳实施例之一种自动对准接触窗开口的制造流程剖面图;第2A图至第2D图系绘示根据本发明第二较佳实施例之一种自动对准接触窗开口的制造流程剖面图;第3A图至第3G图系绘示根据本发明第三较佳实施例之一种自动对准接触窗开口的制造流程剖面图;以及第4A图至第4E图系绘示根据本发明第四较佳实施例之一种自动对准接触窗开口的制造流程剖面图。 |
