| 主权项 |
1.一种防止金属导线间短路的方法,包括下列步骤:(a)提供一表面形成有绝缘层的半导体基底,该绝缘层表面具有一凹痕,并且凹痕的两侧之绝缘层内具有导通该半导体基底的镶嵌结构;(b)在上述镶嵌结构表面形成一扩散阻障层,该扩散阻障层亦形成于该凹痕表面;(c)全面性形成一金属层,以填入上述镶嵌结构;(d)化学机械研磨上述金属层,以形成一金属导线;(e)利用蚀刻方式去除该凹痕表面的扩散阻障层。2.如申请专利范围第1项所述之之防止金属导线间短路的方法,其中上述绝缘层系以四乙基矽酸盐为反应气体所形成的二氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之防止金属导线间短路的方法,其中上述扩散阻障层系氮化钛层。4.如申请专利范围第1项所述之防止金属导线间短路的方法,其中上述扩散阻障层系氮化钽层。5.如申请专利范围第3或4项所述之防止金属导线间短路的方法,其中上述金属层系钨金属层。6.如申请专利范围第1项所述之防止金属导线间短路的方法,其中步骤(e)之蚀刻方式系反应性离子蚀刻法。7.如申请专利范围第1项所述之防止金属导线间短路的方法,其中上述扩散阻障层与上述金属层的蚀刻选择比大约介于6~7之间。8.如申请专利范围第1项所述之防止金属导线间短路的方法,其中上述扩散阻障层系氮化钛层。9.如申请专利范围第5项所述之防止金属导线间短路的方法,其中上述蚀刻气体系含有氯气的反应气体。图式简单说明:第1图~第8'图系根据习知技术,在动态随机存取记忆体制程中,防止金属导线短路的制程剖面示意图。第1图~第8图系根据本发明实施例在动态随机存取记忆体制程中,防止金属导线短路的制程剖面示意图。 |
