| 主权项 |
1.一种具宽接收波段之化合物半导体检光器,其包含以下特征:其磊晶结构包含一宽能隙半导体覆盖层位于窄能隙半导体吸收层之上;其pn接面的形成是藉由选择性区域扩散的方式;其pn接面位于窄能隙半导体吸收层内;其p型金属是与经扩散成p型之宽能隙半导体覆盖层接触;其p型金属与p型之宽能隙半导体覆盖层的介面,于光耦合孔内之宽能隙半导体覆盖层移除前,已经过热退火处理;其于光耦合孔内之p型宽能隙半导体覆盖层的移除是藉由全然湿式蚀刻或乾湿式蚀刻组合的方式;其具有一层以上之介电质所构成之抗反射层。2.如申请专利范围第1项之检光器,其接收波段包含0.7微米至1.65微米。3.如申请专利范围第1项之检光器,其宽能隙半导体覆盖层为未掺杂或低n型掺杂之与磷化铟基板晶格匹配的半导体层。4.如申请专利范围第1项之检光器,其窄能隙半导体光吸收层为未掺杂或低n型掺杂之与磷化铟基板晶格匹配的半导体层。5.如申请专利范围第4顶之检光器,其窄能隙半导体光吸收层为磷砷化铟镓(Inl-xGaxAsyPl-y)或砷化铟铝镓(Inl-x-yAlxGayAs)半导体层,其具有高于1.55微米之截止波长。6.如申请专利范围第3项之检光器,其宽能隙半导体覆盖层为磷砷化铟镓(Inl-xGaxAsyPl-y)或砷化铟铝镓(Inl-x-yAlxGayAs)半导体层,其能隙较如申请专利范围第5项之窄能隙半导体吸收层为大。7.如申请专利范围第1项之检光器,其选择性区域扩散方式,使用氮化矽(SiNx)或氮氧化矽(SiOxNy)作为扩散遮罩。8.一种高速且宽接收波段之化合物半导体检光器,其结构为:一单晶半导体基板供成长后续的半导体层;基板上来第一层为磊晶缓冲之宽能隙半导体层;基板上来第二层为重n型掺杂之宽能隙半导体层;基板上来第三层为复合半导体层,其作为宽能隙渐变至窄能隙之渐变层;基板上来第四层为未掺杂或低n型掺杂之窄能隙半导体吸收层;基板上来第五层为未掺杂或低n型掺杂之宽能隙半导体覆盖层;基板上来第六层为未掺杂或低n型掺杂之窄能隙半导体金属接触层。9.如申请专利范围第8项之检光器,其单晶半导体基板可以是n型或半绝缘型磷化铟基板。10.如申请专利范围第8项之检光器,其pn接面的形成采选择性区域扩散的方式。11.如申请专利范围第10项之检光器,其选择性区域扩散是以氮化矽(SiNx)或氮氧化矽(SiOxNy)作为扩散遮罩。12.如申请专利范围第8项之检光器,其p型金属是与经扩散成p型之窄能隙半导体金属接触层作接触。13.如申请专利范围第12项之检光器,其p型金属与p型之窄能隙半导体金属接触层的介面于光耦合孔内之宽能隙半导体覆盖层移除前已经过热退火处理。14.如申请专利范围第8项之检光器,其于光耦合孔内之p型窄能隙半导体金属接触层与p型宽能隙半导体覆盖层的移除是藉由全然湿式蚀刻或乾湿式蚀刻组合的方式。15.如申请专利范围第8项之检光器,其具有一层以上之介电质所构成之抗反射层。图式简单说明:图1(a)为显示习知宽波段检光器之一的剖面图;图1(b)为显示习知宽波段检光器之二的剖面图;图2(a)为显示本发明较佳实施例之检光器磊晶结构;图2(b)为显示本发明较佳实施例之检光器经选择性区域扩散与p型金属蒸镀后之剖面图;图2(c)为显示本发明较佳实施例之检光器经选择性移除光耦合孔内宽能隙半导体覆盖层及沈积抗反射层后之剖面图;图3(a)为显示本发明较佳实施例之检光器经选择性区域扩散与p型金属蒸镀后较为实际之剖面图;图3(b)为显示本发明较佳实施例之检光器经选择性移除光耦合孔内宽能隙半导体覆盖层后较为实际之剖面图;图4(a)为显示本发明实际实施例之检光器磊晶结构;图4(b)为显示本发明实际实施例中完成之检光器剖面图;图5为显示理论模拟之单层与双层介电质抗反射层设计对应之反射率光谱。 |
