| 主权项 |
1.一种多阶NROM之记忆胞,其可形成一氮化物层,该氮化物层可以阻陷复数个电荷以形成复数个电荷阻陷区域,该些电荷阻陷区域可以储存该些电荷以做为记忆用之位元,多阶NROM之记忆胞包括:一第一位元;以及一第二位元;其中,在该第二位元储存该些电荷以形成一电位障,该电位障影响所读到之该第一位元之一临界电流位阶的大小,藉由改变该电位障的大小来设定该临界电流位阶的大小,并以该临界电流位阶的大小定义多阶NROM之记忆胞之不同的记忆状态。2.如申请专利范围第1项所述之多阶NROM之记忆胞,其更包括:一基底;一第一汲极/源极,形成于该基底;一第二汲极/源极,形成于该基底;以及一闸极,形成于该基底之上,位于该第一汲极/源极与该第二汲极/源极之间。3.如申请专利范围第2项所述之多阶NROM之记忆胞,其中该闸极由下而上依序形成一第一氧化物层、该氮化物层、一第二氧化物层以及一多晶矽层。4.如申请专利范围第1项所述之多阶NROM之记忆胞,其中该第二位元所形成之该电位障系为一临界电压,该临界电压决定多阶NROM之记忆胞在导通所需要的电压。5.如申请专利范围第1项所述之多阶NROM之记忆胞,其中该第一位元与该第二位元系为该些电荷阻陷区域。6.一种多阶NROM之记忆胞之操作方法,该记忆胞可形成一氮化物层,该氮化物层可以阻陷复数个电荷以形成电荷阻陷区域之一第一位元以及一第二位元,该第一位元以及该第二位元可以储存该些电荷以做为记忆之用,多阶NROM之记忆胞之操作方法的步骤包括:在该第二位元储存该些电荷以形成一电位障;藉由改变该电位障的大小来设定该第一位元之一临界电流位阶的大小;以及以该临界电流位阶的大小定义多阶NROM之记忆胞之不同的记忆状态。图式简单说明:第1图绘示习知之快闪记忆体之记忆胞的结构图;第2图绘示的是一个记忆胞判别0与1两种状态的方式;即3图绘示的是记忆胞进行四种不同状态判别的方式;第4图绘示本发明之NROM结构图形;第5图绘示本发明快闪记忆体之记忆胞的不同记忆状态示意图; |
