降低焊垫之氟含量的方法

摘要

一种降低焊垫(Bonding Pad)表面之氟(F)含量的方法。本发明之方法系以高温电极电浆处理方式，利用高温电极增加氟化氢(HF)分子的动能以利氟化氢分子脱离焊垫表面，进而降低焊垫表面上的氟含量。另外，氮气(N2)/氢气(Hz)、氢气(Ar)氮气电浆之运用，例如使用氮气/氢气电浆时，氢离子电浆与氟离子反应生成氟化氢，而氮气电浆或氢气电浆则如同轰击(Bombardment)源将氟化氢气体分子从焊垫表面击开，因此可降低焊垫表面之氟含量。

主权项

1.一种降低焊垫之氟含量的方法,至少包括:提供一基材,其中该基材上形成有一焊垫;形成一保护层覆盖该基材与该焊垫;以及定义该保护层而形成一焊垫窗口,并暴露出该焊垫之一表面,其中定义该保护层之步骤系使用一电浆蚀刻制程,且运用约高于250℃之一温度用以避免氟附着于已暴露之该焊垫之该表面。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该焊垫之材料系选自铝或铝合金。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该保护层包括一磷矽玻璃层。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该保护层包括一氮化矽层。5.一种降低焊垫之氟含量的方法,至少包括:提供一基材,其中该基材上形成有一焊垫;形成一保护层覆盖该基材与该焊垫;以及定义该保护层而形成一焊垫窗口,并暴露出该焊垫,其中定义该保护层之步骤系运用一电浆蚀刻制程且通入之气体包括选自于一氮气/氢气、一氩气、以及一氮气所组成之一族群。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该焊垫之材料系选自铝或铝合金。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该保护层包括一磷矽玻璃层。8.如申请专利范围第5项之方法,其中该保护层包括一氮化矽层。9.如申请专利范围第5项之方法,其中该电浆蚀刻制程中之一电极之一温度约高于250℃。10.如申请专利范围第5项之方法,其中该电浆蚀刻制程更包括通入四氟甲烷或六氟化硫等含氟气体。11.一种降低焊垫之氟含量的方法,至少包括:提供一基材,其中该基材上形成有一焊垫;形成一保护层覆盖该基材与该焊垫;以及定义该保护层而形成一焊垫窗口,并暴露出该焊垫,其中定义该保护层之步骤系使用一电浆蚀刻制程,包括:运用一温度约高于250℃之一电极;以及运用一电浆,该电浆系选自于一氮气/氢气电浆、一氩气电浆、以及一氮气电浆所组成之一族群。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该焊垫之材料系选自铝或铝合金。13.如申请专利范围第11项之方法,其中该保护层包括一磷矽玻璃层。14.如申请专利范围第11项之方法,其中该保护层包括一氮化矽层。图式简单说明:第1图为绘示习知具有焊垫与保护层之基材的结构剖面图;第2图为绘示习知于第1图之结构上形成已定义之聚亚醯胺后之结构的剖面图;第3图为绘示习知焊垫窗口之剖面图;第4图为绘示本发明之一较佳实施例之具有焊垫与保护层之基材的结构剖面图;第5图为绘示本发明之一较佳实施例之于第4图之结构上形成已定义之聚亚醯胺后之结构的剖面图;以及第6图为绘示本发明之一较佳实施例之焊垫窗口之剖面图。