| 主权项 |
1.一种电容器的制造方法,可应用于一基底上,该基底中形成有复数个元件隔离结构,该基底上已有复数个电晶体与一第一绝缘层覆盖于其上,该方法包括:形成复数个源极开口与复数个汲极开口于该第一绝缘层中,以分别一一暴露出该些电晶体之源极与汲极;形成复数个源极插塞与汲极插塞分别于该些源极开口与该些汲极开口中,以分别和该些源极与汲极电性导通;形成一第二绝缘层于该第一绝缘层与该些源极插塞与该些汲极插塞上;形成复数个电容器开口于该第二绝缘层中,以分别暴露出该些汲极插塞与该些汲极插塞周围部分之该第一绝缘层的表面;形成共形之一第一导电层于该第二绝缘层上与该些电容器开口中;将位于相邻之该些电容器开口间且位于该些元件隔离结构上之该第一导电层与位于其下之该第二绝缘层自上往下去除一部分;形成一电容器介电层于该第一导电层之表面上;形成一第二导电层于该第二绝缘层上并填满该些电容器开口;以及对该第二导电层进行一平坦化步骤直至暴露出该第二绝缘层之表面为止。2.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中将位于相邻之该些电容器开口间且位于该些元件隔离结构上之该第一导电层与该第二绝缘层自上往下去除一部分之方法包括:形成一光阻层于该第一导电层之上,并将该些电容器开口填满;对该光阻层进行一曝光显影步骤,将欲去除之该第一导电层之上表面与上方部分侧面暴露出来;进行一回蚀步骤,蚀刻暴露出来之该第一导电层与其下之该第二绝缘层;以及去除该光阻层。3.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中该第一导电层包括以化学气相沈积法所形成之一掺杂矽层。4.如申请专利范围第3项所述之电容器的制造方法,其中该第一导电层更包括以化学气相沈积法所形成之一半球形矽晶粒层,该半球形矽晶粒层位于该掺杂矽层之表面。5.如申请专利范围第1项所述之电容器的制造方法,其中该平坦化步骤包括使用化学机械研磨法。6.一种动态随机存取记忆体的制造方法,可应用于一基底上,该基底中已有复数个元件隔离结构且该基底上已有复数个电晶体与一第一绝缘层覆盖于其上,该方法包括:形成复数个源极开口与复数个汲极开口于该第一绝缘层中,以分别一一暴露出该些电晶体之源极与汲极;形成复数个源极插塞与汲极插塞分别于该些源极开口与该些汲极开口中,以分别和该些源极与汲极电性导通形成一第二绝缘层于该第一绝缘层与该些源极插塞与该些汲极插塞上;形成复数个电容器开口于该第二绝缘层中,以分别暴露出该些汲极插塞与该些汲极插塞周围部分之该第一绝缘层的表面;形成共形之一第一导电层于该第二绝缘层上与该些电容器开口中;将预定位置上之该第一导电层与该第二绝缘层自上往下去除一厚度;形成一电容器介电层于该第一导电层之表面;形成一第二导电层填满该些电容器开口与该第二绝缘层上;对该第二导电层进行一平坦化步骤直至暴露出该第二绝缘层之表面为止;形成一第三绝缘层于该第二导电层与该第二绝缘层之上;形成复数个位元线开口于该第三绝缘层与该第二绝缘层中,以分别暴露出该些源极插塞之表面;以及形成复数个位元线分别于该些位元线开口中与其周围之部分该第三绝缘层上。7.如申请专利范围第6项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中将预定位置上之该第一导电层与该第二绝缘层自上往下去除一厚度之方法包括:形成一光阻层于该第一导电层之上,并将该些电容器开口填满;对该光阻层进行一曝光显影步骤,将欲去除之该第一导电层之表面与顶端部分侧面暴露出来;进行一回蚀步骤,蚀刻暴露出来之该第一导电层与其下之该第二绝缘层;以及去除该光阻层。8.如申请专利范围第6项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该第一导电层包括以化学气相沈积法所形成之一掺杂矽层。9.如申请专利范围第8项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该第一导电层更包括以化学气相沈积法所形成之一半球形矽晶粒层,该半球形矽晶粒层位于该掺杂矽层之表面。10.如申请专利范围第6项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该平坦化步骤包括使用化学机械研磨法。图式简单说明:第1图是习知之随机存取记忆体的结构剖面图。第2A-2E图是依照本发明一较佳实施例的一种动态随机存取记忆体之制造流程剖面图。 |
