| 主权项 |
1.一种双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成有欲作电性连接之一导电层;形成一介电层于该基底与该导电层上;形成至少一介层窗于该介电层中,以暴露出部分之该导电层;覆盖一填缝聚合物层于该介电层上,并填满该介层窗;以化学机械研磨法除去位于该介层窗外之该填缝聚合物层;进行一蚀刻步骤,以除去残留于该介层窗中之该填缝聚合物层的一部分,而形成一部分填缝聚合物;进行一微影制程,以形成具有一沟渠状开口之一光阻层于该介电层上,该沟渠状开口暴露出该介层窗与该部分填缝聚合物;蚀刻暴露于该沟渠状开口中之该介电层的一部分,以形成一沟渠于该介电层中;去除该光阻层与该部分填缝聚合物,以暴露出部分之该导电层;以及填入一金属材料于该介层窗与该沟渠中,以同时形成一插塞与一导线。2.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,其中该介层窗之个数等于2,分别为一孤立接触窗与一密集接触窗。3.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,其中该蚀刻步骤所使用之方法包括非等向性蚀刻法。4.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,其中该导电层包括一导线。5.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,其中该介电层之材质包括氧化矽。6.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,其中该介电层之材质包括一有机低介电常数材料。7.一种双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成有欲作电性连接之一导电层,且该导电层上已形成有一保护层;依序形成一第一介电层、一蚀刻中止层与一第二介电层于该保护层上;依序图案化该第二介电层、该蚀刻中止层与该第一介电层,以形成至少一介层窗,该介层窗暴露出部分之该保护层;覆盖一填缝聚合物层于该第二介电层上,并填满该介层窗;以化学机械研磨法除去位于该介层窗外之该填缝聚合物层;进行一蚀刻步骤,以除去残留于该介层窗中之该填缝聚合物层的一部分,而形成一部分填缝聚合物;进行一微影制程,以形成具有一沟渠状开口之一光阻层于该第二介电层上,该沟渠状开口暴露出该介层窗与该部分填缝聚合物;蚀刻暴露出之该第二介电层,直至该蚀刻中止层为止,以形成一沟渠于该第二介电层中;去除该光阻层与该部分填缝聚合物;去除该介层窗底部之该保护层,以暴露出部分之该导电层;以及填入一金属材料于该介层窗与该沟渠中,以同时形成一插塞与一导线。8.如申请专利范围第7项所述之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,其中该介层窗之个数等于2,分别为一孤立接触窗与一密集接触窗。9.如申请专利范围第7项所述之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,其中该蚀刻步骤所使用之方法包括非等向性蚀刻法。10.如申请专利范围第7项所述之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,其中该导电层包括一导线。11.如申请专利范围第7项所述之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,其中该导电层之材质包括金属。12.如申请专利范围第7项所述之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,其中该保护层之材质与该蚀刻中止层相同。13.如申请专利范围第12项所述之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,其中该保护层与该蚀刻中止层之材质包括氮化矽。14.如申请专利范围第7项所述之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,其中该第一介电层之材质与该第二介电层相同。15.如申请专利范围第14项所述之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,其中该第一介电层与该第二介电层之材质包括氧化矽。16.如申请专利范围第14项所述之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程,其中该第一介电层与该第二介电层之材质包括一有机低介电常数材料。图式简单说明:第1A-1C图所绘示为习知之介层窗先形成双重金属镶嵌制程的流程剖面图。第2A-2C图所绘示为习知双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程的流程剖面图。第3A-3F图所绘示为本发明较佳实施例之双重金属镶嵌制程之部分填缝聚合物制程的流程剖面图。 |
