| 主权项 |
1.一种形成一绝缘渠沟在一底材的方法至少包含:形成一遮罩层覆盖该底材,该遮罩层系包含暴露出一部份该底材的一开口;移除该暴露部分的该底材以形成一开口延伸进入该底材;形成一绝缘物质在该底材内的该开口以形成一绝缘插塞;以及进行一移除程序以同时移除该遮罩层和一部份该绝缘插塞的不止是暴露出该底材的一上方表面且暴露出仅位于该底材内残留的该绝缘插塞,其中在该移除程序完成后残留的该绝缘插塞系至少包含一外围侧壁紧邻该底材。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之遮罩层系以一氧化层和一氮化层堆叠而成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之绝缘物质系同时形成在该开口内部和该遮罩层上。4.如申请专利范围第1项之方法,更包含在进行该移除程序前从该遮罩层上移除该绝缘物质。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之遮罩层系以一化学机械研磨程序移除。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之移除程序系为一化学机械研磨程序。7.一种形成一隔离的方法至少包含:提供一底材;形成一氧化层在该底材上;形成一氮化层在该氧化层上;转移图案至该氮化层,该氧化层,以及该底材以形成一开口延伸贯穿该底材;形成一绝缘层在该开口内以形成一绝缘插塞;移除该氮化层;以及进行一移除程序以同时移除该氧化层和一部份该绝缘插塞在一水平的方向直到残余的该绝缘插塞仅位于该底材内部,其中在该移除程序完成后残留的该绝缘插塞系至少包含一外围侧壁紧邻该底材。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之底材系为一矽半导体底材。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之氧化层的一厚度范围约为100到500埃。10.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之氮化层的一厚度范围约为1000到3000埃。11.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之绝缘层系为一二氧化矽层。12.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之氮化层系以一化学机械研磨程序移除。13.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之移除程序系为一化学机械研磨程序。14.如申请专利范围第7项之方法,在完成该移除程序后更包含依序在该底材上和该残留的该绝缘插塞上形成一闸极氧化层和一闸极。图式简单说明:第一图到第五图系为一平常形成绝缘渠沟之方法的连续剖面示意图。第六图和第七图系为两种平常减少邻接绝缘渠沟间隙之方法的剖面示意图。第八图系为本发明之一实施例的流程图。第九图和第十图系为本发明另一实施例的剖面示意图。 |
