| 摘要 |
<p>본 발명은 비파괴독출형(Non-destructive read-out type, NDRO) 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 텅스텐 브론즈 타입(Tungsten bronze-type)의 스트론튬-바륨-나이오븀 산화물계 ("SBN") (SrBaNbO)의 강유체전 박막을 유기금속열분해(Metal Organic Decomposition)에 의해 형성하는 방법과 이러한 방법으로 제조된 SBN 박막을 게이트 유전체로서 적용한 NDRO형 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 SBN 박막의 물성적인 측면에서 고온 안정성과 피로특성을 향상시킬 수 있는 유기금속 열분해(MOD : Metal Organic Decomposition) 법에 의한 SBN 박막 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있고, 또한 본 발명의 다른 목적은 게이트 유전체에 MOD법으로 제조된 SBN 박막을 적용하고, 산화물 전극을 졸-겔 법(Sol-gel method)에 의해 형성하여, 강유전성(ferroelectricity)이 향상된 비파괴독출형(Non-destructive readout-type) 전계효과트랜지스터를 제공하는데 있다.</p> |
