| 主权项 |
1.一种具有氮化物穿隧层的非挥发性记忆体的结构,该结构包括:一基底;一氮化物穿隧层,设置于该基底上;一电荷陷入层,设置于该氮化物穿隧层上;一介电层,设置于该电荷陷入层上;一闸极导体层,设置于该介电层上,其中该氮化物穿隧层、该电荷陷入层、该介电层以及该闸极导体层组成一闸极结构;一源极区与一汲极区,分别设置于该闸极结构两侧之该基底中;以及一通道区,设置在该源极区与该汲极区之间以及该闸极结构下方之该基底中。2.如申请专利范围第1项所述之具有氮化物穿隧层的非挥发性记忆体的结构,其中该氮化物穿隧层的厚度为20埃至100埃左右。3.如申请专利范围第1项所述之具有氮化物穿隧层的非挥发性记忆体的结构,其中该电荷陷入层的材质包括氮化矽。4.如申请专利范围第1项所述之具有氮化物穿隧层的非挥发性记忆体的结构,其中该电荷陷入层的厚度为40埃至100埃左右。5.一种具有氮化物穿隧层的非挥发性记忆体的结构,该结构包括:一基底;一氮化矽-氮化矽-氧化矽复合层,设置于该基底上,该氮化矽-氮化矽-氧化矽复合层系由依序堆叠之一第一氮化矽层、一第二氮化矽层以及一氧化矽层所构成;一闸极导体层,设置于该氮化矽-氮化矽-氧化矽复合层上;一源极区与一汲极区,分别设置于该氮化矽-氮化矽-氧化矽复合层两侧之该基底中;以及一通道区,设置在该源极区与该汲极区之间以及该氮化矽-氮化矽-氧化矽复合层下方之该基底中。6.如申请专利范围第5项所述之具有氮化物穿隧层的非挥发性记忆体的结构,其中该第一氮化矽层的厚度为20埃至100埃左右。7.如申请专利范围第5项所述之具有氮化物穿隧层的非挥发性记忆体的结构,其中该第二氮化矽层的厚度为40埃至100埃左右。8.如申请专利范围第5项所述之具有氮化物穿隧层的非挥发性记忆体的结构,其中该第一氮化矽层中的缺陷数目小于该第二氮化矽层中的缺陷数目。图式简单说明:第1A图至第1C图所绘示为本发明较佳实施例之一种具有氮化物穿隧层的非挥发性记忆体的制造流程剖面图。第2图所绘示为本发明较佳实施例之一种具有氮化物穿隧层的非挥发性记忆体的结构的剖面示意图。 |
