| 主权项 |
1.一种包覆记忆装置之顶部导体至少两边于铁磁材料之方法,该方法包含下列步骤:a)形成一个具有侧壁之沟渠于记忆装置上方涂层;b)沿着沟渠侧壁沈积铁磁材料;c)沿着沟渠侧壁介于铁磁材料间的沟渠沈积导体材料,藉此于顶部导体两边形成铁磁材料覆盖层。2.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含下述步骤:沈积铁磁材料于沟渠内部的导体材料上方俾形成铁磁材料覆盖层包覆顶部导体三边。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该沿着沟渠侧壁沈积铁磁材料之步骤进一步包括:沈积铁磁材料于沟渠底部以及进一步包含下述步骤:由沟渠底部之至少一部份去除铁磁材料,同时留下铁磁材料沿沟渠侧壁。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该沈积导体材料于沟渠之步骤进一步包括:沈积导体材料于涂层上方以及进一步包含下述步骤:研磨导体材料俾去除涂层上方之导体材料。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该研磨导体材料之步骤进一步包括下述步骤:形成一个凹部于沟渠之导体材料,该凹部系延伸至低于涂层上表面深度。6.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含下述步骤:形成一个凹部于沟渠之导体材料,该凹部系延伸至低于涂层上表面深度。7.一种制造铁磁覆盖层环绕磁性RAM结构顶部导体至少两侧之方法,该方法包含下列步骤:a)提供磁性RAM结构;b)沈积涂层于磁性RAM结构上;c)形成沟渠其具有侧壁及底部于磁性RAM结构之涂层;d)沿沟渠侧壁沈积铁磁覆盖材料;e)于磁性RAM结构上方由沟渠底部去除至少部分铁磁覆盖材料,同时留下铁磁覆盖材料沿沟渠侧壁;以及f)沈积导体材料于沟渠之磁性RAM结构上方。8.一种制造铁磁覆盖层包围磁性RAM结构顶部导体之顶部及两相对边之方法,该方法包含下列步骤:a)提供磁性RAM结构设置于基板上;b)沈积涂层于磁性RAM结构之基板上方;c)形成带有侧壁之底部之沟渠于磁性RAM结构上方之涂层;d)沈积铁磁覆盖材料于涂层及磁性RAM结构上方,以及沿着沟渠侧壁;e)由磁性RAM结构上方之沟渠底部以及由涂层至少去除部分铁磁覆盖材料,同时留下铁磁覆盖材料沿沟渠侧壁;f)沈积导体材料于覆盖层上方以及于磁性RAM结构上方沟渠;g)研磨导体材料而去除任何涂层上方导体材料以及沿沟渠侧壁铁磁覆盖材料上部的导体材料;h)沈积一层铁磁覆盖材料层于涂层、沟渠的导体材料、以及沿沟渠侧壁之铁磁覆盖材料顶部上方;以及i)研磨该层铁磁覆盖材料俾去除于涂层上方的任何铁磁覆盖材料,同时留下于沟渠导体材料之铁磁覆盖材料层部分。9.一种磁性记忆装置,包含:a)一个磁性RAM结构,其具有一个底部导体以及一个顶部导体带有侧边及顶部;b)铁磁覆盖层系至少沈积于顶部导体之侧边上。10.如申请专利范围第9项之装置,其进一步包含:设置于顶部导体顶上的铁磁覆盖层。图式简单说明:第1图为磁性记忆装置之剖面侧视图,显示根据本发明具有底部导体之顶部导体;第2图为第1图之磁性记忆装置垂直于剖面侧视图之剖面端视图显示底部导体;以及第3A-3I图为剖面侧视图显示一种根据本发明形成铁磁覆盖层包被磁性记忆装置顶部及侧边之方法。 |
