发明名称 喷砂处理剂、使用该处理剂处理之晶圆及其处理方法
摘要 提供能防止金属离子所致的污染之喷砂处理剂、以及使用该处理剂之晶圆的喷砂处理方法。使用含有整合剂之喷砂处理剂进行矽晶圆的喷砂处理。整合剂系择自下述(1)~(4)或其等的盐类:氮川二乙酸(NTA:nitrolotriacetic acid)乙二胺四乙酸(EDTA-ethylenediaminetetraaCetic acid)二乙二胺-N,N,N”,N”-五乙酸(DTPA:diethylenedtamine- N,N,N”,N”-pentaacetic acid)环己二胺四乙酸(CyDTA:Cyclohexanediaminetetraacetic acid)。
申请公布号 TW513765 申请公布日期 2002.12.11
申请号 TW088117567 申请日期 1999.10.12
申请人 信越半导体股份有限公司 发明人 大高敏昭;深见辉明
分类号 H01L21/322 主分类号 H01L21/322
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种喷砂处理剂,其特征在于:系将天然石英粉加入纯水中而构成浆状物,在该浆状物中添加择自氮川三乙酸(NTA:nitrilotriacetic acid)、乙二胺四乙酸(EDTA:ethylenediaminetetraacetic acid)、二乙二胺-N,N,N",N"-五乙酸(DTPA:diethylenediamine-N,N,N",N"-pentaacetic acid)、环己二胺四乙酸(CyDTA:cyclohexanediaminetetraacetic acid)及其等的盐类所构成群中之至少一种螫合剂而成;相对于浆状物的全量,该螫合剂的添加量为4.2810-4莫耳/升以上。2.如申请专利范围第1项之喷砂处理剂,其中该螫合剂的添加量为2.5710-3莫耳/升以上。3.一种晶圆,其特征在于:系经申请专利范围第1项之喷砂处理剂处理而得之不含Cu所产生之污染者。4.一种晶圆之喷砂处理方法,其特征在于:系藉由将申请专利范围第1项之喷砂处理剂喷射于晶圆的里面,来对晶圆实施喷砂处理。图式简单说明:图1系显示喷砂处理及热处理后的矽晶圆之Cu浓度分析后的结果。
地址 日本