| 主权项 |
1.一种具有金属矽化层与半导体接触结构之半导体装置,该半导体装置包含有:一种绝缘层其有暴露半导体区之开口包括矽;一种在半导体区上形成之金属矽化层,其藉由开口暴露,藉由使用具有一第一相之一自生金属矽化层,第二相金属矽化层,其第一理想剂量组成比不同于第一相之第二理想剂量组成比;和一种在第二相金属矽化层上形成半导体层。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中第二相金属矽化层之厚度低于约100,其电阻在约3到20欧姆/平方。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中半导体区系为半导体基板包含有矽、矽化锗、绝缘物上矽,绝缘物上矽锗。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中半导体区,包括有矽层或矽化锗,其系以结晶相或非晶相之形式在半导体基板上形成。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中半导体区,包括有矽层或矽化锗,其系以结晶相或非晶相之形式。6.一种形成金属矽化物之方法,其包含步骤:i)沈积金属在绝缘层上,其有为了暴露半导体区(包括矽)之开口,以如此的方式,在藉由开口暴露之半导体区与沈积金属间之介面区形成第一层,其包含第一相自生金属矽化层。ii)当其余留第一相自生金属矽化层,选择性移除第一层。iii)在第一相自生金属矽化层和绝缘层上形成第二层,其由导体材料所组成。iv)第一相自生金属矽化层与矽反应,以转变自生金属矽化层成第二相之金属矽化层,其第一理想剂量组成比不同于第一相之第二理想剂量组成比。7.如申请专利范围第6项之方法,其中半导体区,系为半导体基板,其包含有矽、矽化锗、绝缘物上矽或绝缘物上矽锗。8.如申请专利范围第6项之方法,其中半导体区,包含有矽或矽化锗,其系以结晶相或非晶相之形式在半导体基板上形成。9.如申请专利范围第6项之方法,其中第二层系由矽或矽化锗,以结晶相或非晶相之形式在半导体基板上形成。10.如申请专利范围第6项之方法,其中第二层包含有金属或金属化合物。11.如申请专利范围第10项之方法,其中第二层包含有氮化钛。12.如申请专利范围第6项之方法,其中第一层包含有选自于任一含有钴、钛、钨、镍、铂、铪、钯之群。13.根据申请专利范围第6项之方法,其中第一层之沈积温度低于400℃。14.根据申请专利范围第6项之方法,其中在步骤iv),此第一相自生金属矽化层转变成第二相之金属矽化层,系藉由热处理制程。15.一种形成金属矽化物之方法,包含步骤:i)沈积金属在有闸极堆叠和闸极侧边间隙壁之半导体基板上,其包含有导体材料有矽,以如此的方式,在矽与沈积金属之介面形成第一层,其有第一相自生金属矽化层。ii)当其余留第一相金属矽化层,选择性地移除第一层。iii)沈积第一盖层在最终的结构;和iv)第一相金属矽化层与矽反应,以转变自生金属矽化层成第二相金属矽化层,其第一理想剂量组成比不同于第一相之第二理想剂量组成比。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中半导体基板包含有矽、矽化锗、绝缘物上矽或绝缘物上矽锗。17.根据申请专利范围第15项之方法,其中闸极堆叠包含有矽层、矽化锗,其系以结晶相或非晶相之形式。18.根据申请专利范围第15项之方法,其中在闸极堆叠有盖绝缘层在其上表面。19.根据申请专利范围第15项之方法,其中第一盖层含有金属化合物。20.根据申请专利范围第19项之方法,其中第一盖层含有选自于任一含有氮化钛、钛化钨、氮化钽和氮化钨之群。21.根据申请专利范围第15项之方法,其中第一盖层含有绝缘材料。22.根据申请专利范围第21项之方法,其中第一盖层含有氮化矽或氮化氧矽。23.根据申请专利范围第15项之方法,其中第一相自生金属矽化层转变成第二相金属矽化层,系藉由热处理制程。24.根据申请专利范围第15项之方法,更进一步包含的步骤有v)移除第一盖层;和vi)沈积第二盖层在最终的结构上。25.根据申请专利范围第24项之方法,其中第二盖层系由绝缘材料所组成,其相对于第二相金属矽化层有蚀刻选择率。26.根据申请专利范围第15项之方法,其中第一层包含有选自于任一含有钴、钛、钨、镍、铂、铪、钯之群。27.根据申请专利范围第15项之方法,其中第一层系在低于约400℃沈积。图式简单说明:图1之剖面图,系表示本发明第一具体实施例之半导体装置。图2A到2D之剖面图,系表示本发明第一具体实施例之形成金属矽化层方法。图3A到3D之剖面图,系表示本发明第二具体实施例之形成金属矽化层方法。图4A到4C之剖面图,系表示本发明第三具体实施例之形成金属矽化层方法。图5A到5D之剖面图,系表示本发明第四具体实施例之形成金属矽化层方法。 |
