| 主权项 |
1.一种半导体材料制程中层内形成的连接孔(via)之清洗的方法,包括下列步骤:施加含有OH/H的电浆至半导体材料层的连接孔;施加含有氟基系电浆至连接孔;和施加氧和氟基系混合物的电浆至连接孔。2.如申请专利范围第1项的方法,其中之施加氟基系电浆的步骤包括施加控制流经四氟甲烷。3.如申请专利范围第1项的方法,其中之施加氟基系电浆的步骤包括施加控制流经六氟乙烷。4.如申请专利范围第1项的方法,其中,施加含有OH/H的电浆之步骤包括施用H2O电浆。5.如申请专利范围第1项的方法,其中,施加含有OH/H的电浆控制以不同功率输入范围由约200瓦特至1400瓦特。6.如申请专利范围第1项的方法,其施加含有OH/H的电浆之时间约为20至60秒。7.如申请专利范围第1项的方法,其施加含有OH/H的电浆之步骤包括使用水蒸气于含有OH/H的电浆且通常的水蒸气压力范围在200毫托至2托。8.如申请专利范围第1项的方法,其中,施加氟基系的电浆之步骤包括使用O2/CF4电浆。9.如申请专利范围第8项的方法,其中,O2/CF4电浆包含操作O2/CF4流度约在350 sccm O2和50至100 sccm CF4。10.如申请专利范围第1项的方法,其中,该连接孔系由具有氧化物电介层之连接孔,具有低K値电介材料为电介层之连接孔,以及无边界连接孔之族群所选用者。11.一种半导体装置制程中蚀刻其中之一层而成之连接孔之清洗方法,包括下列步骤:施加水蒸气电浆于半导体装置之连接孔以供应OH/H;和施加氧气和四氟甲烷的电浆至连接孔。12.如申请专利范围第11项的方法,其中,该水蒸气是在流速约350 sccm之速度,及于压力100毫托与水蒸气电浆功率偏压200至1400瓦特之状态下供应30秒。13.如申请专利范围第11项的方法,其中之氧气和四氟甲烷的流速各别约为350和50 sccm,而于压力约100毫托与功率偏压200瓦特之状态下供应30秒。14.一种供半导体装置制程中使用之材料层之准备清洁之连接孔的方法,包括下列步骤:于半导体装置材料层蚀刻至少一个连接孔;和施加同时含有OH/H混合物的电浆与氧气/氟基系电浆混合物于该至少一连接孔。15.如申请专利范围第14项的方法,其对施加混合物步骤的流速控制在约流速50 sccm H2O/50 sccm O2/15 sccm CF4。16.如申请专利范围第14项的方法,其中之混合物的压力约在压力200毫托,且以200瓦特的功率清洗30秒。17.如申请专利范围第14项的方法,其中,施加含有OH/H的电浆之步骤包括保持反应室压力范围为200毫托至2托。18.如申请专利范围第14项的方法,其中,于施加混合物电浆步骤时,控制功率范围在200瓦特至1400瓦特。19.如申请专利范围第14项的方法,其中,施加含有OH/H的电浆之时间约为20至60秒。20.如申请专利范围第14项的方法,其中,施加含有OH/H的电浆包括施加形成气态电浆。21.如申请专利范围第14项的方法,该连接孔是由具有氧化物电介质的连接孔,具有低K値电介材料为电介层之连接孔,以及无边界之连接孔所成之族组选用。图式简单说明:第1图为典型半导体装置依先前技艺所处理的连接孔横断面;第2图为本发明的制程之流程图;第3图为典型半导体装置以本发明方法处理前的横断面;第4图为典型半导体装置以本发明其中一方法所处理后的连接孔横断面;第5图为未清洗无边壁连接孔的横断面;和第6图为未清洗无边壁HSQ连接孔的横断面; |
