| 主权项 |
1.一种分析半导体装置制造设备之污染物之方法,该方法包含下列步骤:(a)混合取自半导体装置制造设备之样本与溶解样本之化学品,该化学品含有硫酸,氢氟酸,及硝酸分别以相同体积比例混合,及于高温溶解混合物;(b)冷却藉(a)步骤于高温溶解之混合物;(c)供给去离子水至混合物供稀释用;及(d)分析(c)步骤之经稀释混合物。2.如申请专利范围第1项之分析方法,其中又包含介于(b)及(c)步骤间之一个去除冷却妥混合物所含烟雾之步骤。3.如申请专利范围第2项之分析方法,其中该a)步骤包含将化学品及样本置于密封样本容器,密封容器然后将样本容器置于加压容器内进一步密封之步骤;及将加压容器引进可调温乾燥烘箱然后加热样本容器所含化学品及样本之步骤。4.如申请专利范围第3项之分析方法,其中该加热化学品及样本之步骤包含一个升高乾燥烘箱内部温度达特定高温之步骤,及一个维持乾燥烘箱内温于特定高温之步骤。5.如申请专利范围第4项之分析方法,其中该提高乾燥烘箱内部温度之步骤包含第一升高步骤及第二升高步骤。6.如申请专利范围第5项之分析方法,其中该第一升高步骤系升高乾燥烘箱之内部温度于100至140℃之范围之温度。7.如申请专利范围第6项之分析方法,其中该第二升高步骤系升高乾燥烘箱之内部温度于200至260℃之范围之温度。8.如申请专利范围第3项之分析方法,其中该样本容器为铁氟龙制成。9.如申请专利范围第5项之分析方法,其中于第一升高及第二升高步骤中,乾燥烘箱之内部温度系藉重复进行温度升高历140至160秒,维持升高温度历3至6秒及进行温度下降历45至55秒而重复升高。10.如申请专利范围第9项之分析方法,其中该样本系由氮化矽或石英制成。11.如申请专利范围第10项之分析方法,其中该乾燥烘箱内部温度之维持步骤系进行22至26小时。12.如申请专利范围第2项之分析方法,其中该冷却温度升高之b)步骤之已溶解样本步骤包含一个降低乾燥烘箱内部温度之步骤及一个取出引进乾燥烘箱内部之加压容器并留置于室温之步骤。13.如申请专利范围第12项之分析方法,其中该降低乾燥烘箱内部温度之步骤系进行20至40分钟。14.如申请专利范围第2项之分析方法,其中该溶解去除溶解样本所含烟雾之步骤系藉开启加压容器内部之样本容器盖,使用红外灯照射红外光于已溶解之样本表面及增高已溶解之样本温度进行。15.如申请专利范围第14项之分析方法,其中该已溶解样本之温度系使用红外灯增高至60至80℃。16.如申请专利范围第2项之分析方法,其中该以去离子水稀释已溶解样本之(c)步骤系经由混合10至20重量%已溶解样本藉80至90重量%去离子水进行。17.如申请专利范围第2项之分析方法,其中该(d)步骤系使用原子吸收光谱仪进行。18.如申请专利范围第2项之分析方法,其中该(d)步骤系使用原子发射光谱仪进行。19.如申请专利范围第2项之分析方法,其中该(a)步骤系藉混合0.1至0.3克样本与10至20毫升化学品进行。20.如申请专利范围第1项之分析方法,其中该(a)步骤样本系由氧化铝制成。21.如申请专利范围第20项之分析方法,其中该溶解样本之(a)步骤系经由提升乾燥烘箱内部温度至特定高温,及维持该特定高温历45至55小时进行。22.如申请专利范围第1项之分析方法,其中该(a)步骤样本系由锆制成。图式简单说明:第1图为示意透视图显示根据本发明用分析半导体装置制造设备之污染物方法之乾燥烘箱。第2图示例说明用于根据本发明分析半导体装置制造设备之污染物之方法至加压容器;及第3图为制程顺序示例说明根据本发明使用化学品溶解取自半导体装置制造设备之样本而分析污染物之方法。 |
