| 主权项 |
1.一种覆晶封装方法,将已形成突起电极之半导体元件,采用导电性树脂,覆晶封装于电路基板上之际,其特征为,在该电路基板上的半导体元件封装区域中,印刷上含光聚合性物质的糊状电极材料,而形成特定厚度的层,依照仅使预定之电极区域残留的方式,将此电极材料层进行曝光及显影后,再进行烘烤,而在该电路基板上,使边缘部位处朝离开基板表面方向返折,而制成凹状电路电极,将已形成于该半导体元件上的突起电极,抵接于该凹状电路电极的凹面上,并使该突起电极与电路电极,透过导电性树脂进行连接。2.如申请专利范围第1项之覆晶封装方法,其中该电极材料层,系依乾燥层厚在10-20微米范围内而形成者。3.如申请专利范围第1项或第2项之覆晶封装方法,其中该经显影后所残余的电极材料层,系截面具有宽度离电路基板越远,便越大的梯形形状。4.如申请专利范围第1项或第2项之覆晶封装方法,其中该电路电极系具有圆弧状截面。5.一种覆晶封装体,系将已形成突起电极之半导体元件,采用导电性树脂封装于电路基板上的覆晶封装体,其特征为,该电路基板系具有边缘部朝离开基板表面方向返折的凹状电路电极,而该导体元件,则依使该突起电极的端部,抵接于该凹状电路电极之凹面上的方式而配置,并使该突起电极与电路电极,透过导电性树脂进行连接。6.一种电路基板,系将已形成有突起电极之半导体元件,利用导电性树脂,以进行覆晶封装,其特征为,具有边缘部朝离开基板表面方向返折的凹状电路电极。图式简单说明:第1(a)-(f)图系说明本发明实施例1的半导体元件之覆晶封装方法的程序剖面示意图。第2(a)-(c)图系说明本发明实施例2的半导体元件之覆晶封装方法的程序剖面示意图。第3图系说明习知半导体元件之覆晶封装方法的程序剖面示意图。 |
