| 主权项 |
1.一种增加导体接触效果之改良构造,其特征在于:系在一金属导体基材上藉由一加工制程,使该金属导体基材之接触面上形成有刻痕,在该金属导体基材形成有刻痕之接触面上组装有导电元件,藉此,可增加该金属导体基材与该导电元件间形成一良好电性导通接触之效果。2.如申请专利范围第1项所述之增加导体接触效果之改良构造,其中该导电元件之接触面上可藉由一加工制程,使该导电元件与该金属导体基材接触之接触面形成有刻痕,以形成一良好的电性导接。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之增加导体接触效果之改良构造,其中各该接触面上之刻痕可为直条形。4.如申请专利范围第1项或第2项所述之增加导体接触效果之改良构造,其中各该接触面上之刻痕可为斜纹形。5.如申请专利范围第1项或第2项所述之增加导体接触效果之改良构造,其中各该接触面上之刻痕可为网状形。6.如申请专利范围第1项或第2项所述之增加导体接触效果之改良构造,其中各该接触面上之刻痕可为任意形状。图式简单说明:第一图系本创作较佳实施例之立体组合图。第二图系本创作较佳实施例之立体分解图。第三图系本创作较佳实施例之局部前视示意图。 |
