用于制造半导体器件的方法

摘要

本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在绝缘层之上形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行脱水或脱氢，使得所述氧化物半导体层的载流子浓度大于1×10¹⁸/cm³；在被脱水或脱氢的所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；以及形成氧化物绝缘膜，所述氧化物绝缘膜与所述氧化物半导体层的一部分接触并且在所述绝缘层、所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层之上，其中在形成所述氧化物绝缘膜之后的所述氧化物半导体层的所述载流子浓度小于或等于1×10¹⁴/cm³。