| 主权项 |
1.一种高频模组装置,包含:底基板,包括以具有热阻抗与高频特性的有机材料而形成之核心基板以及形成在该核心基板的第一主要表面及底基板上之图型配线层,该图型配线层的最上层被平面化以形成高频装置层形成表面;及高频装置层,形成在该底基板的该高频装置层形成表面上;其中被动元件是藉由薄膜形成技术或藉由厚膜形成技术面形成之高频装置层被动元件,含有电阻器、电容器及图型配线部份之该被动元件经由介质绝缘层被供应以来自该底基板的电力或信号。2.如申请专利范围第1项之高频模组装置,其中该核心基板是双面基板或以一或数个材料形成的环氧基双面基板,该材料选择自由聚苯乙烯、双马来醯亚胺三秦、聚醯胺、液晶聚合物、聚原冰片烯、陶瓷、陶瓷及有机材料的混合物组成之群组。3.如申请专利范围第1项之高频模组装置,其中该核心基板具有图型化的输入/输出终端在面向该高频装置层形成表面的该核心基板的第二主要表面上,以作为电源或信号输入/输出表面,且其中该第二主要表面是经由该输入/输出终端直接安装在母板上。4.如申请专利范围第1项之高频模组装置,其中形成该高频装置层的该介质绝缘层是以诸如双马来醯亚胺三秦、聚醯胺、聚原冰片烯、液晶聚合物、环氧基树脂或丙烯酸树脂之有机材料而形成作为多层在该底基板的该高频装置层形成表面上,此些有机材料显示高频特性、热阻抗、化学物阻抗、均匀涂覆特性及厚度控制特性。5.如申请专利范围第1项之高频模组装置,其中图型配线层是形成在形成作为该高频装置层的最上层之介质绝缘层上,其中涂覆层是藉由曝露图型配线的预设接合区而形成,且其中直接连接至该接合区的至少一个高频IC装置是直接安装在该涂覆层上。6.如申请专利范围第5项之高频模组装置,其中覆盖包含该高频IC装置的整体表面之遮蔽盖是安装在该高频装置层上。7.如申请专利范围第6项之高频模组装置,其中显示热传导特性的树脂材料是装入在该高频IC装置与该遮蔽盖的内表面之间的空间。8.如申请专利范围第6项之高频模组装置,其中与该底基板相通的大量热辐射通孔是形成在记录有该高频IC装置的安装区域之该高频装置层中。9.如申请专利范围第8项之高频模组装置,其中与该高频装置层的各别热辐射通孔相通的大量热辐射通孔是形成在该底基板,且其中热辐射板是形成在该核心基板中。10.如申请专利范围第8项之高频模组装置,其中该热辐射通孔是连接至形成在该核心基板的该第一主要表面上的部份图型配线层,且其中该图型配线层具有不小于50m的厚度。11.一种高频模组装置之制造方法,包含以下步骤:底基板形成步骤,用以产生底基板,其经由以显示热阻抗与高频特性的有机材料形成核心基板的第一步骤,形成多层图型配线层在该核心基板的第一主要表面上的第二步骤,以及平面化最上层以形成高频装置层形成表面的第三步骤;及高频装置层形成步骤,藉由薄膜或厚膜技术,形成该高频装置层中含有电阻器、电容器或图型配线单元之被动元件在该底基板的该高频装置层形成表面上,该被动元件是经由介质绝缘层而馈入来自该底基板的电力或信号。12.如申请专利范围第11项之高频模组装置之制造方法,其中形成的该第一步骤是以选自由聚苯乙烯、双马来醯亚胺三秦、聚醯胺、液晶聚合物、聚原冰片烯、陶瓷、陶瓷与有机材料的混合物及环氧基树脂组成之群组的材料形成双面基板之步骤。13.如申请专利范围第11项之高频模组装置之制造方法,其中该底基板形成步骤包含:涂覆树脂层形成步骤,其形成涂覆形成作为该第一主要表面的最上层的配线图型层之第一涂覆层,及涂覆面向该第一主要表面的第二主要表面之第二涂覆树脂层;该第一涂覆树脂层是与最上层的配线图型层一起抛光于该高频装置层形成步骤之前的该第三步骤,使得该第一涂覆树脂层与该配线图型层一起变平;该第二涂覆树脂层被抛光作为接在该高频装置层形成步骤的步骤,以便曝露形成在该第二主要表面上的配线图型层而形成输入/输出终端。14.如申请专利范围第13项之高频模组装置之制造方法,其中形成在该核心基板的第二主要表面上之该输入/输出终端是连接至形成于母板的输入/输出终端,使得该输入/输出终端是直接地安装在该母板上。15.如申请专利范围第11项之高频模组装置之制造方法,其中形成该高频装置层的至少两个该介质绝缘层是形成在该基板的高频装置层形成表面上,该介质绝缘层是以有机材料形成,诸如双马来醯亚胺三秦、聚醯胺、聚原冰片烯、液晶聚合物、环氧基树脂或丙烯酸树脂,其显示高频特性、热阻抗、化学物阻抗、均匀涂覆特性及厚度控制特性。16.如申请专利范围第11项之高频模组装置之制造方法,其中该高频装置层形成步骤包含:形成该第一介质绝缘层在该高频装置层形成表面上的第一介质绝缘层形成步骤,以及形成第一配线层在该第一介质绝缘层上且藉由图型而形成电阻器与电容器的第一层形成步骤;及形成该第二介质绝缘层在该第一绝缘层上的第二介质绝缘层形成步骤,以及形成第二配线层在该第二介质绝缘层上且形成感应器与配线的第二层形成步骤。17.如申请专利范围第16项之高频模组装置之制造方法,其中于第一层形成步骤中,在藉由溅射或化学蒸汽淀积所形成在该第一配线层上之薄膜金属层被制造后,形成该电阻器之位置是受到阳极氧化以形成含有高电介质层的电阻器。18.如申请专利范围第11项之高频模组装置之制造方法,其中该高频装置层形成步骤包含形成图型配线层在形成作为该高频装置层的最上层之该介质绝缘层上,以及藉由曝露图型配线的预设接合区而形成涂覆层的步骤,且其中直接连接至该接合区的至少一个高频IC装置是直接安装在该涂覆层上。19.如申请专利范围第18项之高频模组装置之制造方法,另包含安装覆盖包含该高频IC装置的整体表面上之遮蔽盖在该高频装置层上的步骤。20.如申请专利范围第19项之高频模组装置之制造方法,另包含将显示热传导特性的树脂材料装入在该高频IC装置与该遮蔽盖的内表面之间的空间的步骤。21.如申请专利范围第11-20项中任一项之高频模组装置之制造方法,其中该高频装置层形成步骤包含形成与该底基板相通的大量热辐射通孔于记录有该高频IC装置的安装区域之该高频装置层的步骤。22.如申请专利范围第21项之高频模组装置之制造方法,其中与该高频装置层的各别热辐射通孔相通的大量热辐射通孔是形成于该底基板中,且其中热辐射板是形成于该核心基板中。23.如申请专利范围第22项之高频模组装置之制造方法,其中形成图型在该底基板上且连接至该热辐射通孔之该图型配线层是形成具有不小于50m的厚度。图式简单说明:图1是依超外差系统之高频传输/接收电路的结构图。图2是依直接转换系统之高频传输/接收电路的结构图。图3A及3B解说配置于习知高频传输/接收模组的感应器,其中图3A是显示其主要部份的透视图,而图3B是显示其主要部份的纵向横截面图。图4是显示使用矽基板的习知高频传输/接收模组之纵向横截面图。图5是显示使用玻璃基板的习知高频传输/接收模组之纵向横截面图。图6是显示在安装习知高频传输/接收模组在插入器基板上后而获得的封装之纵向横截面图。图7是显示依据本发明之高频传输/接收模组的纵向横截面图。图8解说图7所示的高频传输/接收模组之生程过程。图9是显示使用于图7所示的高频传输/接收模组的核心基板之纵向横截面图。图10解说核心基板之图型制作过程。图11解说接合含有第一树脂的铜线及含有第二树脂的另一铜线的过程。图12解说形成通孔的过程。图13解说形成第一图型配线层及第二图型配线层的过程。图14解说接合含有第三树脂的铜线及含有第四树脂的铜线的过程。图15解说含有第三树脂的铜线及含有第四树脂的另一铜线被接合一起之过程。图16解说抛光含有第三树脂的铜线及含有第四树脂的另一铜线的过程。图17解说形成第一树脂层的过程。图18解说形成配线层的过程。图19解说形成被动元件的过程。图20解说形成第二树脂层的过程。图21解说形成配线层的过程。图22解说形成阻档层的过程。图23是高频模组装置的纵向横截面图。图24A-24F解说形成底基的另一过程。图25A-25D解说依浸渍涂覆法而产生底基板的过程。图26是具有热辐射结构之高频模组装置的纵向横截面图。图27是具有另一热辐射结构之高频模组装置的纵向横截面图。图28是具有另一热辐射结构之高频模组装置的纵向横截面图。 |
