| 主权项 |
1.一种发光装置,包含:包含氮化矽或氧氮化矽的第一绝缘层;在该第一绝缘层上的包含氧氮化矽的第二绝缘层;在该第一绝缘层和该第二绝缘层之间形成的薄膜电晶体,该薄膜电晶体具有包含矽的半导体层、闸绝缘膜和闸电极;在该第二绝缘层上的包含氮化矽或氧氮化矽的第三绝缘层;在该第三绝缘层上的包含碳的第四绝缘层;在该第三绝缘层和该第四绝缘层之间形成的发光元件,该发光元件包括阳极、有机化合物层和包含硷金属的阴极;以及在该第三绝缘层上包含绝缘材料的分隔层,其中在分隔层之间形成该发光元件。2.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该第四绝缘层包含类金钢石碳。3.如申请专利范围第1项之发光装置,其中在该第二绝缘层与该第三绝缘层之间设置有机树脂层。4.一种发光装置,包含:包含氮化矽或氧氮化矽的第一绝缘层;在该第一绝缘层上的包含氧氮化矽的第二绝缘层;在该第一绝缘层和该第二绝缘层之间形成的薄膜电晶体,该薄膜电晶体具有包含矽的半导体层、闸绝缘膜和闸电极;在该第二绝缘层上的包含氮化矽或氧氮化矽的第三绝缘层;在该第三绝缘层上的包含碳的第四绝缘层;在该第三绝缘层和该第四绝缘层之间形成的发光元件,该发光元件包括阳极、有机化合物层和包含硷金属的阴极;以及在该第三绝缘层上、包含绝缘材料的分隔层,其中在分隔层之间形成该发光元件,和其中该分隔层具有上部在平行于基底方向上突出的形状。5.如申请专利范围第4项之发光装置,其中该第四绝缘层包含类金钢石碳。6.如申请专利范围第4项之发光装置,其中在该第二绝缘层与该第三绝缘层之间设置有机树脂层。7.一种发光装置,包含:包含氮化矽或氧氮化矽的第一绝缘层;在该第一绝缘层上的包含氧氮化矽的第二绝缘层;在该第一绝缘层和该第二绝缘层之间形成的薄膜电晶体,该薄膜电晶体具有包含矽的半导体层、闸绝缘膜和闸电极;在该第二绝缘层上的包含氮化矽或氧氮化矽的第三绝缘层;在该第三绝缘层上的包含碳的第四绝缘层;在该第三绝缘层和该第四绝缘层之间形成的发光元件,该发光元件包括阳极、有机化合物层和包含硷金属的阴极;以及在该第三绝缘层上的包含绝缘材料的分隔层,其中在分隔层之间形成该发光元件,和其中该有机化合物层和该阴极设置成不接触该分隔层。8.如申请专利范围第7项之发光装置,其中该第四绝缘层包含类金钢石碳。9.如申请专利范围第7项之发光装置,其中在该第二绝缘层与该第三绝缘层之间设置有机树脂层。10.一种发光装置,包含:包含氮化矽或氧氮化矽的第一绝缘层;在该第一绝缘层上的包含氧氮化矽的第二绝缘层;在该第一绝缘层和该第二绝缘层之间形成的薄膜电晶体,该薄膜电晶体具有包含矽的半导体层、闸绝缘膜和闸电极;在该第二绝缘层上的包含氮化矽或氧氮化矽的第三绝缘层;在该第三绝缘层上的包含碳的第四绝缘层;在该第三绝缘层和该第四绝缘层之间形成的发光元件,该发光元件包括阳极、有机化合物层和包含硷金属的阴极;以及在该第三绝缘层上的包含绝缘材料的分隔层,其中在具有上部在平行于基底的方向上突出的形状的该分隔层之间形成该发光元件,且其中该有机化合物层和该阴极设置成不接触该分隔层。11.如申请专利范围第10项之发光装置,其中该第四绝缘层包含类金钢石碳。12.如申请专利范围第10项之发光装置,其中在该第二绝缘层与该第三绝缘层之间设置有机树脂层。13.一种发光装置,包含:基底;在该基底上的闸电极;在该闸电极上的包含氮化矽或氧氮化矽的第一绝缘层;在该第一绝缘膜上的半导体薄膜;在该半导体薄膜上的包含氧氮化矽的第二绝缘层;在该第二绝缘膜上的包含氮化矽或氧氮化矽的第三绝缘层;以及在该第三绝缘层上的发光元件,该发光元件包括阳极、有机化合物层和包含硷金属的阴极;在该发光元件上的包含碳的第四绝缘层;以及在该第三绝缘层上的包含绝缘材料的分隔层,其中在分隔层之间形成该发光元件。14.如申请专利范围第13项之发光装置,其中该第四绝缘层包含类金钢石碳。15.如申请专利范围第13项之发光装置,其中在该第二绝缘层与该第三绝缘层之间设置有机树脂层。16.一种发光装置,包含:基底;在该基底上、包含从由氮化矽和氧氮化矽组成的组中选择的材料的第一绝缘层;在该第一绝缘层上形成的多个薄膜电晶体;在该多个薄膜电晶体上的包含氧氮化矽的第二绝缘层;在该第二绝缘层上、包含从由氮化矽和氧氮化矽组成的组中选择的材料的第三绝缘层;在该基底上排列成矩阵的多个发光元件,其中,该多个薄膜电晶体操作的连接到该多个发光元件,该发光元件中的每一发光元件包含阳极、包含硷金属的阴极以及在该阳极与该阴极之间的有机化合物层;在该第三绝缘层上形成并且平行延伸的多个分隔层;以及在该多个发光元件上形成的含碳的第四绝缘层,其中每一发光元件插入该第三和第四绝缘层之间,其中,排列在该矩阵的同一行或同一列中的该发光元件设置在该多个分隔层中的相邻层之间或沿着该相邻层排列。17.如申请专利范围第16项之发光装置,其中该第四绝缘层包含类金钢石碳。18.如申请专利范围第16项之发光装置,其中在该第二绝缘层与该第三绝缘层之间设置有机树脂层。19.如申请专利范围第16项之发光装置,其中该多个分隔层与该发光元件的阴极和该有机化合物层隔开。20.一种发光装置,包含:基底;在该基底土、包含从由氮化矽和氧氮化矽组成的组中选择的材料的第一绝缘层;在该第一绝缘层上形成的至少一个薄膜电晶体;在该薄膜电晶体上的包含氧氮化矽的第二绝缘层;在该第二绝缘层上,包含从由氮化矽和氧氮化矽组成的组中选择的材料的第三绝缘层;至少一个发光元件,其中该薄膜电晶体操作的连接到该发光元件,该发光元件包括阳极、包含硷金属的阴极以及在该阳极与该阴极之间的有机化合物层;以及在该第三绝缘层上的至少第一和第二分隔层,其中该发光元件设置在该第一和第二分隔层之间,在该发光元件上形成的包含碳的第四绝缘层,其中该发光元件插入该第三和第四绝缘层之间,其中在第一和第二分隔层的顶部、该第一和第二分隔层相对边缘之间的距离小于在第一和第二分隔层的底部、该第一和第二分隔层相对边缘之间的距离。21.如申请专利范围第20项之发光装置,其中该第四绝缘层包含类金钢石碳。22.如申请专利范围第20项之发光装置,其中在该第二绝缘层与该第三绝缘层之间设置有机树脂层。23.如申请专利范围第20项之发光装置,其中该多个分隔层与该发光元件的阴极和该有机化合物层隔开。图式简单说明:图1是说明本发明的薄膜形成设备的结构的示意图;图2是说明本发明的薄膜形成设备的结构的示意图;图3是说明有机化合物材料中包含的杂质与其蒸气压力间的关系图;图4A至4C是说明在薄膜形成装置中进行昇华精炼的方法的示意图;图5A至5C是说明有机发光元件的结构的示意图;图6是说明设置有图素部分和驱动电路部分的有机发光装置的分段剖视图;图7是说明有机发光装置的图素部分的结构的横剖视图;图8是说明有机发光装置的图素部分的结构的横剖视图;图9是说明有机发光装置的图素部分的结构的俯视图;图10是说明有机发光装置的结构的横剖视图;图11是说明有机发光装置的外观的透视图;图12是说明按照本发明的发光装置的原理的示意图;以及图13A至13G是说明应用本发明的发光装置的电子设备的实例的示意图。 |
