| 主权项 |
1.一种半导体记忆体,其包含一MFMIS电晶体,其包括一场效应电晶体以及形成于该场效应电晶体上之一铁电电容器,其中该半导体记忆体具有一特性,即一关系式V=(d/o)x(-p)中(-p)的値本质上不随着时间而改变,当一资料写入该MFMIS电晶体内而该铁电膜系处于一极化状态下时,该关系或保持一上电极与一下电极间之一潜势(电动势)差V,一铁电膜的表面电荷密度,该铁电膜的极化电荷p,该铁电膜之一厚度d以及真空之一介电常数o之间的关系。2.如申请专利范围第1项中之该半导体记忆体,其中该铁电膜之厚度d系加以设定至一较该上电极与该下电极中所出现之载子一个自由路径为大之一数値。图式简单说明:图1系为根据该发明之一具体实例之一半导体记忆体在一资料储存状态之下的一个横剖面示图;图2系为根据该发明之一具体实例与习知的技术之一半导体记忆体中所包含的一个MFMIS电晶体之一电路图;及图3系为根据该发明之与习知的技术之半导体记忆体中所包含的MFMIS电晶体之一等效电路图。 |
