多层型半集总式平衡至非平衡转换器

摘要

本发明系关于一种半集总式平衡至非平衡式转换器电路及多层型半集总式平衡至非平衡式转换器。本发明之电路架构系于非平衡输出入埠的第一耦合传输线二端分别串接一个具有一端接地之电容，以缩短原本电气长度为二分之一波长的传输线；并于二平衡输出入埠之间串接一个电容或并接一具有一端接地之电容，以达到阻抗转换的目的。由于在几何结构上完全对称于结构中心点，因此具有良好的相位平衡度，且若适当调整第二耦合传输线、第三耦合传输线及该串接电容的比例，则可使平衡端得到适当的阻抗匹配。本发明之多层型架构亦可具有良好的相位平衡及振幅平衡，非常适合制作微小型晶片型元件，以满足现今通讯设备需具备轻、薄、短、小特性之要求。

主权项

1.一种半集总式平衡至非平衡转换器电路,包括:一第一耦合传输线,具有一第一端点及一第二端点,该二端点分别连接至一具有一端接地之电容,第一端点及第二端点之其中一端点连接至一非平衡输出入埠;一第二耦合传输线,具有一接地端及一第一平衡输出入埠,该第一平衡输出入埠连接至一串接电容之一端;及一第三耦合传输线,具有一接地端及一第二平衡输出入埠,该第二平衡输出入埠连接至该串接电容之另一端。2.一种半集总式平衡至非平衡转换器电路,包括:一第一耦合传输线,具有一第一端点及一第二端点,该二端点分别连接至一具有一端接地之电容,第一端点及第二端点之其中一端点连接至一非平衡输出入埠;一第二耦合传输线,具有一接地端及一第一平衡输出入埠,该第一平衡输出入埠连接至一具有一端接地之电容;及一第三耦合传输线,具有一接地端及一第二平衡输出入埠,该第二平衡输出入埠连接至一具有一端接地之电容。3.一种多层型半集总式平衡至非平衡转换器,具有复数层结构,由上至下依序包括:一第一接地层,具有一基底及一第一接地金属片,该第一接地金属片形成于该第一接地层之该基底之一表面上;一第一平衡输出入埠金属层,具有一基底、一第一平衡输出入埠金属电极片及一第一耦合金属片,第一平衡输出入埠金属电极片及第一耦合金属片形成于该基底之一表面上;一第一耦合传输线层,具有一基底及一第一耦合传输金属片,该第一耦合传输金属片具有一第一平衡输出入埠端及一接地端,该第一平衡输出入埠端与该第一平衡输出入埠金属电极片电气连接,该接地端与第一接地金属片电气连接;一第二耦合传输线层,具有一基底、一第二耦合传输金属片,该第二耦合传输金属片具有一非平衡输出入埠端及一第一连接端;一第二接地层,具有一基底及一第二接地金属片,该第二接地金属片形成于该第二接地层之该基底之一表面上;一电容层,具有一基底、一第二耦合金属片及一第三耦合金属片,该第二耦合金属片与该非平衡输出入埠端电气连接;一第三接地层,具有一基底及一第三接地金属片,该第三接地金属片形成于该第三接地层之该基底之一表面上;一第三耦合传输线层,具有一基底、一第三耦合传输金属片,该第三耦合传输金属片具有一第二连接端及一第三连接端,分别与第二耦合传输线层之第一连接端及该第三耦合金属片电气连接;一第四耦合传输线层,具有一基底及一第四耦合传输金属片,该第四耦合传输金属片具有一第二平衡输出入埠端及一接地端;一第二平衡输出入埠金属层,具有一基底、一第二平衡输出埠金属电极片及一第四耦合金属片,该第二平衡输出入埠金属电极片与该第二平衡输出入埠端电气连接;及一第四接地层,具有一基底及一第四接地金属片,该第四接地金属片形成于该第四接地层之该基底之一表面上,该第四接地金属片与第四耦合传输金属片之接地端电气连接。4.如申请专利范围第3项之多层型半集总式平衡至非平衡转换器,另包括复数个穿孔连接金属片,用以作为各层间之电气连接。5.如申请专利范围第3项之多层型半集总式平衡至非平衡转换器,其中该第一耦合传输金属片、第二耦合传输金属片、第三耦合传输金属片及第四耦合传输金属片系呈螺旋状。图式简单说明:图1为习用马式平衡至非平衡转换器示意图;图2为习用之晶片型转换器之示意图;图3为本发明第一实施例之半集总式平衡至非平衡转换器电路图;图4为本发明第二实施例之半集总式平衡至非平衡转换器电路图;图5为实现本发明第二实施例电路之多层型半集总式平衡至非平衡转换器结构示意图;及图6为实现本发明第二实施例电路之另一种多层型半集总式平衡至非平衡转换器结构示意图。