| 主权项 |
1.一种光电装置,其包含一位于第一与第二电极之间的光反应区,而使电荷载体能移动于该光反应区与第一及第二电极之间;该光反应区包含:在一延伸于该第一与第二电极之间的方向上轮流交叠的第一与第二层等,各第一层含有第一光反应材料,各第二层含有第二光反应材料,而第一与第二光反应材料具有不同的电子亲和性;其中在各第一层相反面上之每对第二层,系经由该第一层形成于该对第二层之间的第一开孔等来互相接触,而在各第二层相反面上之每对第一层,系经由该第二层形成于该对第一层之间的第二开孔等来互相接触。2.如申请专利范围第1项之光电装置,其中该第一电极系邻接于一第一层,而第二电极系邻接于一第二层。3.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中由各第一层形成于每对第二层之间的第一开孔等,系以规则阵列来排设。4.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中由各第二层形成于每对第一层之间的第二开孔等,系以规则阵列来排设。5.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中在每对第二层之间的各第一层系包含一互相连接的第一区之规则阵列,其间乃形成该等第一开孔,而在每对第一层之间的各第二层系包含一互相连接的第二区之规则阵列,其间乃形成该等第二开孔。6.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中在每对第二层之间的各第一层系含有该第一与第二光反应材料的混合物,其第一光反应材料的比例比第二光反应材料更高;而在每对第一层之间的各第二层亦含有该第一与第二光反应材料的混合物,其第二光反应材料的比例比第一光反应材料更高。7.如申请专利范围第1或2项之光电装置,其中该第一光反应材料与第二光反应材料皆为半导性共轭聚合物。8.一种制造一光电装置的方法,该装置含有一光反应区位于第一与第二电极之间,而使电荷载体能移动于该光反应区与第一及第二电极之间,其中该光反应区系由以下步骤所制成:在含有该第一电极之一基材上沉积一阵列的第一区,而该第一区的阵列会在其间形成开孔等来曝现下层的基材部份;及在该等第一区之间所形成的开孔中沉积一阵列的第二区,而使该等第二区部份地重叠各第一区,并在该等第二区之间形成开孔来曝现下层的第一区部份;其中该等第一区含有第一光反应材料,而第二区含有第二光反应材料,该等第一与第二光反应材料具有不同的电子亲和性。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该第一区的阵列会形成一个别开孔的阵列。10.如申请专利范围第8或9项之方法,其中该等第二区会形成一个别开孔的阵列。11.如申请专利范围第8或9项之方法,更包含:在由第二区的阵列所形成的开孔中,制成含有第一光反应材料的第三区之阵列,而使该等第三区部份地重叠各第二区,并在各第三区之间形成开孔,曝现出下层的第二区部份。12.如申请专利范围第8或9项之方法,更包含:在由第三区所形成的开孔中,制成含有第二光反应材料的第四区之阵列,而使该等第四区部份地重叠各第三区,并在各第四区之间形成开孔,曝现出下层的第三区部份。13.如申请专利范围第8或9项之方法,其中该包含第一电极的基材,更包含一连续的第二光反应材料层,而该等第一区系设在该第二光反应材料的连续层上。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该光反应区更包含一连续的第一光反应材料层邻接于第二电极。15.一种光电装置,含有一光反应区位于第一与第二电极之间,而使电荷载体能移动于该光反应区与电极之间;该光反应区乃包含至少第一与第二混合层,其各含有具不同电子亲和性之第一光反应材料与第二光反应材料的混合物,而该第一与第二混合层系含有不同比例的第一与第二光反应材料。16.如申请专利范围第15项之光电装置,其中该第一光反应材料为一半导性共轭聚合物。17.如申请专利范围第15或16项之光电装置,其中该第二光反应材料系为一半导性共轭聚合物。18.如申请专利范围第15或16项之光电装置,其中该光反应区包含轮流交叠的第一与第二混合层。19.如申请专利范围第15或16项之光电装置,更包含一层主要由第一光反应材料制成,而邻接第一电极。20.如申请专利范围第15或16项之光电装置,更包含一层主要由第二光反应材料制成,而邻接第二电极。图式简单说明:第1系本发明第一实施例之光电装置的部份截面示意图;第2(a)与2(b)图表示第1图的装置中各邻接层之间的关系;及第3图系本发明第二实施例之光电装置的示意图。 |
