| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括:第一与第二输出阶层电晶体,生成一输出信号为一推挽式操作的结果,其在一第一电源供应与一第二电源供应之间互相串联连接;一第一电晶体,具有一控制电极,一第一输入信号输入于此,且在该第一电源供应与该第二电源供应之间连接;一第一定电流源,在该第一电源供应与该第二电源供应之间串联连接至该第一电晶体;一第一特定电晶体,在该第一电源供应与该第二电源供应之间串联连接至该第一电晶体与该第一定电流源且连接如该第一输出阶层电晶体之电流镜;一第二电晶体,具有一控制电极,一第二输入信号输入于此,且在该第一电源供应与该第二电源供应之间连接;一第二定电流源,在该第一电源供应与该第二电源供应之间串联连接至该第二电晶体;以及一第二特定电晶体,在该第一电源供应与该第二电源供应之间串联连接至该第二电晶体与该第二定电流源且连接如该第二输出阶层电晶体之电流镜。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,更包括:一电流错误补偿电路,依照该输出信号与一指示信号,补偿在该推挽式操作的时间分别流经该第一与第二输出阶层电晶体之电流的错误。3.如申请专利范围第1或2项所述之半导体装置,其中该第一电晶体与该第二电晶体为金属氧化半导体(MOS)-型态电晶体。4.一种充电泵电路,使用于一锁相回路(PLL)电路中,且应由一相位比较器传送之一上指令信号与一下指令信号而生成一输出信号而依照该输出信号驱动一电压-控制振荡器(VCO),该充电泵电路包括:第一与第二输出阶层电晶体,生成该输出信号为一推挽式操作的结果,其在一第一电源供应与一第二电源供应之间互相串联连接;一第一电晶体,具有一控制电极,该上指令信号输入于此,且在该第一电源供应与该第二电源供应之间连接;一第一定电流源,在该第一电源供应与该第二电源供应之间串联连接至该第一电晶体;一第一特定电晶体,在该第一电源供应与该第二电源供应之间串联连接至该第一电晶体与该第一定电流源且连接如该第一输出阶层电晶体之电流镜;一第二电晶体,具有一控制电极,该下指令信号的一反转信号输入于此,且在该第一电源供应与该第二电源供应之间连接;一第二定电流源,在该第一电源供应与该第二电源供应之间串联连接至该第二电晶体;以及一第二特定电晶体,在该第一电源供应与该第二电源供应之间串联连接至该第二电晶体与该第二定电流源且连接如该第二输出阶层电晶体之电流镜。5.如申请专利范围第4项所述之充电泵电路,更包括:一电流错误补偿电路,依照该输出信号与一指示信号,补偿在该推挽式操作的时间分别流经该第一与第二输出阶层电晶体之电流的错误。6.如申请专利范围第4或5项所述之充电泵电路,其中该第一电晶体与该第二电晶体为金属氧化半导体(MOS)-型态电晶体。7.一种锁相回路(PLL)电路,包括:一相位比较器;一电压-控制振荡器(VCO);以及一充电泵电路,应由该相位比较器传送之一上指令信号与一下指令信号而生成一输出信号而依据该输出信号,驱动该电压-控制振荡器,以及其中该充电泵电路包括:第一与第二输出阶层电晶体,生成该输出信号为一推挽式操作的结果,其在一第一电源供应与一第二电源供应之间互相串联连接;一第一电晶体,具有一控制电极,该上指令信号输入于此,且在该第一电源供应与该第二电源供应之间连接;一第一定电流源,在该第一电源供应与该第二电源供应之间串联连接至该第一电晶体;一第一特定电晶体,在该第一电源供应与该第二电源供应之间串联连接至该第一电晶体与该第一定电流源且连接如该第一输出阶层电晶体之电流镜;一第二电晶体,具有一控制电极,该下指令信号的一反转信号输入于此,且在该第一电源供应与该第二电源供应之间连接;一第二定电流源,在该第一电源供应与该第二电源供应之间串联连接至该第二电晶体;以及一第二特定电晶体,在该第一电源供应与该第二电源供应之间串联连接至该第二电晶体与该第二定电流源且连接如该第二输出阶层电晶体之电流镜。8.如申请专利范围第7项所述之锁相回路电路,更包括:一电流错误补偿电路,依照该输出信号与一指示信号,补偿在该推挽式操作的时间分别流经该第一与第二输出阶层电晶体之电流的错误。9.如申请专利范围第7或8项所述之锁相回路电路,其中该第一电晶体与该第二电晶体为金属氧化半导体(MOS)-型态电晶体。10.一种半导体装置,包括:第一与第二输出阶层电晶体,生成一第一输出信号为一推挽式操作的结果,其在一第一电源供应与一第二电源供应之间互相串联连接;第三与第四输出阶层电晶体,生成一第二输出信号为一推挽式操作的结果,其在该第一电源供应与该第二电源供应之间互相串联连接;第一与第二差动电晶体对,传导型态为相互相反且具有分别连接至第一与第二输入端子之控制电极;第一与第二定电流源,分别连接至该第一与该第二差动电晶体对;一第一电流镜电路,在该第一差动电晶体对与该第一电源供应之间连接;一第二电流镜电路,在该第二差动电晶体对与该第二电源供应之间连接;第三与第四差动电晶体对,传导型态为相互相反且具有分别连接至第三与第四输入端子之控制电极;第三与第四定电流源,分别连接至该第三与该第四差动电晶体对;一第三电流镜电路,在该第三差动电晶体对与该第一电源供应之间连接;以及一第四电流镜电路,在该第四差动电晶体对与该第二电源供应之间连接,以及其中该第一输出阶层电晶体包括于该第一电流镜电路中,以及其中该第二输出阶层电晶体包括于该第四电流镜电路中,以及其中该第三输出阶层电晶体包括于该第三电流镜电路中,以及其中该第四输出阶层电晶体包括于该第二电流镜电路中。11.如申请专利范围第10项所述之半导体装置,更包括:一电流错误补偿电路,依照该输出信号与一指示信号,补偿在该推挽式操作的时间分别流经该第一与第二输出阶层电晶体之电流的错误。12.一种充电泵电路,使用于一锁相回路(PLL)电路中,且应由一相位比较器传送之一上指令信号与一下指令信号而生成一第一输出信号与该第一输出信号被反转之一第二输出信号,而依照该第一输出信号与该第二输出信号而驱动一电压-控制振荡器(VCO),该充电泵电路包括:第一与第二输出阶层电晶体,生成该第一输出信号为一推挽式操作的结果,其在一第一电源供应与一第二电源供应之间互相串联连接;第三与第四输出阶层电晶体,生成该第二输出信号为一推挽式操作的结果,其在该第一电源供应与该第二电源供应之间互相串联连接;第一与第二差动电晶体对,传导型态为相互相反且具有分别连接至第一与第二输入端子之控制电极,此处该上指令信号与该上指令被反转之一上指令反转信号被传送;第一与第二定电流源,分别连接至该第一与该第二差动电晶体对;一第一电流镜电路,在该第一差动电晶体对与该第一电源供应之间连接;一第二电流镜电路,在该第二差动电晶体对与该第二电源供应之间连接;第三与第四差动电晶体对,传导型态为相互相反且具有分别连接至第三与第四输入端子之控制电极,此处该下指令信号与该下指令被反转之一下指令反转信号被传送;第三与第四定电流源,分别连接至该第三与该第四差动电晶体对;一第三电流镜电路,在该第三差动电晶体对与该第一电源供应之间连接;以及一第四电流镜电路,在该第四差动电晶体对与该第二电源供应之间连接,以及其中该第一输出阶层电晶体包括于该第一电流镜电路中,以及其中该第二输出阶层电晶体包括于该第四电流镜电路中,以及其中该第三输出阶层电晶体包括于该第三电流镜电路中,以及其中该第四输出阶层电晶体包括于该第二电流镜电路中。13.如申请专利范围第12项所述之充电泵电路,更包括:一电流错误补偿电路,补偿分别流经该第一至第四镜电路之电流的错误。14.如申请专利范围第13项所述之充电泵电路,更包括:第五与第六定电流源,分别平行连接至该第一与该第三定电流源;以及其中该电流错误补偿电路生成对应在一设定信号与表示在该第一与该第二输出信号间一平均値的一信号之间的差异之一控制信号,以及其中该第五与第六定电流源应该控制信号而改变电流値来传送给该第一与第三差动电晶体对。15.一种锁相回路(PLL)电路,包括:一相位比较器;一电压-控制振荡器(VCO);以及一充电泵电路,应由该相位比较器传送之一上指令信号与一下指令信号而生成一第一输出信号与该第一信号反转之一第二输出信号,而依据该第一与该第二输出信号驱动该电压-控制振荡器,以及其中该充电泵电路包括:第一与第二输出阶层电晶体,生成该第一输出信号为一推挽式操作的结果,其在一第一电源供应与一第二电源供应之间互相串联连接;第三与第四输出阶层电晶体,生成该第二输出信号为一推挽式操作的结果,其在该第一电源供应与该第二电源供应之间互相串联连接;第一与第二差动电晶体对,传导型态为相互相反且具有分别连接至第一与第二输入端子之控制电极,此处该上指令信号与该上指令被反转之一上指令反转信号被传送;第一与第二定电流源,分别连接至该第一与第二差动电晶体对;一第一电流镜电路,在该第一差动电晶体对与该第一电源供应之间连接;一第二电流镜电路,在该第二差动电晶体对与该第二电源供应之间连接;第三与第四差动电晶体对,传导型态为相互相反且具有分别连接至第三与第四输入端子之控制电极,此处该下指令信号与该下指令被反转之一下指令反转信号被传送;第三与第四定电流源,分别连接至该第三与第四差动电晶体对;一第三电流镜电路,在该第三差动电晶体对与该第一电源供应之间连接;以及一第四电流镜电路,在该第四差动电晶体对与该第二电源供应之间连接,以及其中该第一输出阶层电晶体包括于该第一电流镜电路中,以及其中该第二输出阶层电晶体包括于该第四电流镜电路中,以及其中该第三输出阶层电晶体包括于该第三电流镜电路中,以及其中该第四输出阶层电晶体包括于该第二电流镜电路中。16.如申请专利范围第15项所述之锁相回路电路,更包括:一电流错误补偿电路,补偿分别流经该第一至第四镜电路之电流的错误。图式简单说明:第1图为一习知充电泵电路之电路图。第2图为显示另一习知充电泵电路之电路图。第3图为显示一习知典型PLL电路之电路图。第4图为显示一本发明第一实施例之充电泵电路的电路图。第5图为显示连接至本发明第一实施例之充电泵电路之电流错误补偿电路的电路图。第6图为显示本发明第一实施例之电流错误补偿电路细部电路图。 |
