| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体,其结构包括:一字元线,形成于一基底上:一捕捉层,位于该字元线与该基底之间;一接触窗,位于该基底上方,且与该字元线电性连接;以及一金属保护线,其系电性连接该接触窗与该基底之一接地掺杂区,其中,该金属保护线之阻値高于该字元线。2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,其中该金属保护线之宽度小于该字元线之宽度,而得以具有高于该字元线的阻値。3.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,其中该金属保护线之厚度小于该字元线之厚度,而得以具有高于该字元线的阻値。4.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,其中该金属保护线系藉由另一接触窗与该接地掺杂区连接。5.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,其中该捕捉层包括氧化矽∕氮化矽∕氧化矽复合层。6.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体,其中该字元线包括:一复晶矽线,位于该捕捉层上;以及一金属矽化物线,位于该复晶矽线上。7.如申请专利范围第6项所述之非挥发性记忆体,其中该金属矽化物线之材质包括矽化钨。8.一种非挥发性记忆体的制造方法,包括:于一基底上形成一非挥发性记忆胞;于该基底中形成一接地掺杂区;于该基底上形成与该接地掺杂区电性连接的一第一接触窗;于该基底上形成与该非挥发性记忆胞之一字元线电性连接的一第二接触窗;于该基底上形成一金属保护线,该金属保护线藉该第一接触窗与该接地掺杂区电性连接,且藉该第二接触窗与该字元线电性连接,其中,该金属保护线之阻値高于该字元线;以及施加一高电流,以烧断该金属保护线。9.如申请专利范围第8项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中于该基底上形成该金属保护线之该步骤,包括:于该基底上形成一金属层;以及图案化该金属层,以形成电性连接该字元线与该接地掺杂区之该金属保护线。10.如申请专利范围第8项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中于该基底上形成该非挥发性记忆胞之该步骤,包括:于该基底上形成一捕捉层;于该捕捉层上形成一复晶矽层;于该复晶矽层上形成一金属矽化物层;以及图案化该捕捉层、该复晶矽层与该金属矽化物层,以形成该字元线。11.如申请专利范围第10项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该捕捉层包括氧化矽∕氮化矽∕氧化矽复合层。12.如申请专利范围第10项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该金属矽化物层之材质包括矽化钨。13.如申请专利范围第8项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中于该基底中形成该接地掺杂区之该步骤后,更包括于该基底上形成一介电层。14.如申请专利范围第13项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该介电层之材质包括硼磷矽玻璃。图式简单说明:第1A图至第1C图是依照本发明之较佳实施例一种非挥发性记忆体的制造流程剖面图;以及第2图是依照第1C图所示之非挥发性记忆体的上视示意图。 |
