半导体发光器件制造过程中SiO₂层的表面处理方法

摘要

本发明公开了一种半导体发光器件制造过程中SiO₂层的表面处理方法，涉及一种半导体发光器件的制造方法，用于解决SiO₂层表面的光刻胶在后续加工工序中因高温发生严重形变的问题。其包括以下步骤：在待加工的晶片上生长SiO₂层；用等离子载氮气体处理SiO₂层的表面，使SiO₂表面氮化；在经过氮化处理的SiO₂表面上涂掩膜胶。本发明可以提高产品品质，以及节省时间，提高生产效率，节约了粘胶剂。本发明可以用于作为掩膜用的SiO₂去边工艺、蓝宝石表面钝化处理工艺等一系列SiO₂表面光刻处理工艺。

主权项

一种半导体发光器件制造过程中SiO₂层的表面处理方法,包括以下步骤：在待加工的晶片上生长SiO₂层；用等离子载氮气体处理SiO₂层的表面，使SiO₂表面氮化；所述等离子载氮气体为氮气、笑气或者它们的混合；在经过氮化处理的SiO₂表面上涂掩膜胶。