| 摘要 |
L'invention concerne procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur, le procédé comportant une étape de traitement thermique rapide d'un substrat comportant une couche de piégeage de charges et susceptible de détériorer une caractéristique RF du substrat. Selon l'invention, l'étape de traitement thermique rapide est suivie d'un traitement thermique de guérison du substrat entre 700°C et 1100°C, pendant une durée d'au moins 15 secondes. |
