| 摘要 |
本发明之附有电磁波遮蔽膜之基板之特征为，透明导电膜从基板侧开始依序由膜厚为35~63nm之第1电介质层/膜厚为18~28nm之第1银层/膜厚为70~100nm之第2电介质层/膜厚为20~30nm之第2银层/膜厚为70~105nm之第3电介质层/膜厚为18~29nm之第3银层/膜厚为35~63nm之第4电介质层所构成，该透明导电膜的膜表面的电阻值(薄膜电阻)为1.2Ω/□以下，可见光穿透率为60%以上。此外，本发明之附有电磁波遮蔽膜之基板之特征为，为透明导电膜叠层于透明基板上，上述透明导电膜是由以透明金属氧化物层所组成之第1电介质层/第1银层/由ZnAl所组成之第1阻障层/以透明金属氧化物层所组成之第2电介质层/第2银层/由ZnAl所组成之第2阻障层/以透明金属氧化物层所组成之第3电介质层/第3银层/由ZnAl所组成之第3阻障层/以透明金属氧化物层所组成之第4电介质层所组成之基板，而各个银层的膜厚为9~15nm，由ZnAl所组成的各个阻障层的膜厚为1.0~3.0nm，第1电介质层与第4电介质层的膜厚为40~50nm，第2电介质层与第3电介质层的膜厚75~85nm，该透明导电膜的表面的电阻值(薄膜电阻)为2.5Ω/□以下，可见光穿透率为70%以上，覆盖了透明导电膜的那一面的可见光反射率为4%以下，构成该透明导电膜的任一银层之银的纯度均为5N(99.999%)以上的纯度，构成该透明导电膜的任一ZnAl阻障层为包含1~10重量%的Al的ZnAl合金。 |
